募集要項
- 仕事内容
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電力半導体市場でTOPシェアを持ち、先進技術を提供する企業でのプロセスエンジニアポジションです。 デバイス、回路、実装技術を併せ持つ強みを活かし、お客様とも共同で開発テーマに取り組んでいただきます。■Si系パワーMOSFET、SiC系パワーMOSFETのプロセス開発業務 ・プロセス設計、デバイスTEG設計、試作、製品評価など
- 応募資格
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- 必須
- ・半導体プロセス開発/デバイス開発のご経験
- 歓迎
- ・Si系パワーMOSFET、IGBT、SiC系パワーMOSFETのプロセス開発業務、又は製品開発業務の実務経験 ・デバイスシミュレータのスキル ・プロセスシミュレータのスキル ・TEG(マスク)設計CADのスキル ・静特性測定、動特性測定のスキル ・半導体デバイスに関する特許取得
- 募集年齢(年齢制限理由)
- 下限なし ~ 50歳 (長期勤続によりキャリア形成を図るため)
- 雇用形態
- Full Time / 正社員
- ポジション・役割
- MOSFET プロセスエンジニア
- 勤務地
- 埼玉県 ※在宅勤務可
- 勤務時間
- ※フレックスタイム制 コアタイム:10:30~14:30 フレキシブルタイム:5:00~10:30、14:30~22:00
- 年収・給与
- 600万円 ~ 1000万円
- 待遇・福利厚生
- ・社会保険各種(雇用保険・労災保険・厚生年金保険・健康保険) など
- 休日休暇
- ・完全週休2日制(休日は土日祝日) ・年間有給休暇16日~24日(下限日数は、入社直後の付与日数となります) ・年間休日日数129日 ※メーデー、GW、夏季休暇、年末年始休暇(6日)、慶弔休暇、創立記念日、有給休暇(6月に1年分付与)、妊娠通院休暇、リフレッシュ休暇、看護休暇 等