募集要項
- 仕事内容
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電力半導体市場でTOPシェアを持ち、先進技術を提供する企業でのプロセスエンジニアポジションです。 デバイス、回路、実装技術を併せ持つ強みを活かし、お客様とも共同で開発テーマに取り組んでいただきます。■Si系パワーMOSFET、SiC系パワーMOSFETのプロセス開発業務 ・プロセス設計、デバイスTEG設計、試作、製品評価など
- 応募資格
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- 必須
- ・半導体プロセス開発/デバイス開発のご経験
- 歓迎
- ・Si系パワーMOSFET、IGBT、SiC系パワーMOSFETのプロセス開発業務、又は製品開発業務の実務経験 ・デバイスシミュレータのスキル ・プロセスシミュレータのスキル ・TEG（マスク）設計CADのスキル ・静特性測定、動特性測定のスキル ・半導体デバイスに関する特許取得
- 募集年齢(年齢制限理由)
- 下限なし ～ 50歳 （長期勤続によりキャリア形成を図るため）
- 雇用形態
- Full Time / 正社員
- ポジション・役割
- MOSFET プロセスエンジニア
- 勤務地
- 埼玉県 ※在宅勤務可
- 勤務時間
- ※フレックスタイム制 コアタイム：10:30～14:30 フレキシブルタイム：5:00～10:30、14:30～22:00
- 年収・給与
- 600万円 ～ 1000万円
- 待遇・福利厚生
- ・社会保険各種（雇用保険・労災保険・厚生年金保険・健康保険） など
- 休日休暇
- ・完全週休2日制（休日は土日祝日） ・年間有給休暇16日～24日（下限日数は、入社直後の付与日数となります） ・年間休日日数129日 ※メーデー、GW、夏季休暇、年末年始休暇（6日）、慶弔休暇、創立記念日、有給休暇（6月に1年分付与）、妊娠通院休暇、リフレッシュ休暇、看護休暇 等
