募集要項
- 仕事内容
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■SiパワーMOSのデバイス開発・設計、プロセス開発業務を担当していただきます。
※部門間の関係性として、事業部門が製品売上に対する責任と権限をもっており、事業部門からの依頼という形でデバイス開発部門が要求特性を満足するデバイス・プロセスを開発するという形をとります。
【具体的には】
・TCADを使ったデバイスシミュレーション
・CADを使ったTEGマスク作製業務
・滋賀工場でウェハプロセスフローを構築して試作ロットの流動
・試作したウェハの電気特性評価
・不良品の物理解析 など
※ディスクリート製品では、開発の上流から下流までの業務を広く受け持つため、デバイス開発エンジニアとしてのスキルが一通り身に付きます。守備範囲が広くなるので、ユーティリティな能力が必要と思われるかもしれませんが、解析やシミュレーション、ウェハプロセスの要素技術など、一定の高度なスキルが必要な業務については、保有スキルによって関係部署やメンバーで分業することで効率的に開発を進めています。
■ポジションの魅力
ディスクリート製品では、開発の上流から下流までの業務を広く受け持つため、デバイス開発エンジニアとしてのスキルが一通り身に付きます。個人のキャリアビジョンに合わせて特定分野で専門性を高めていく選択肢もあります。
競合が多いSiパワ-MOSのデバイス開発では、各耐圧帯ごとで抜きつ抜かれつの競争があり、第一線で戦っている実感が持てます。競合に先んじる技術を開発すべく、日々新たチャレンジの精神をもってチーム一丸で動いています。
- 応募資格
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- 必須
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【必須要件】※下記全て満たす方
・MOSFETの構造・動作特性の基本的な理解
・半導体プロセスの基本的な理解
【歓迎要件】
・基礎的な電気回路の理解
・ウェハプロセス工場での開発業務
- 雇用形態
- 正社員
- 勤務地
- 京都府、滋賀県
- 勤務時間
- 08:30 - 17:30(コアタイム:00:00 - 00:00)
- 年収・給与
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500万円~850万円(経験能力考慮の上優遇)
昇給1回、賞与2回
- 待遇・福利厚生
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【保険】
健康保険、雇用保険、労災保険、厚生年金
【諸手当】
通勤手当、住宅手当、家族手当
【待遇・福利厚生】
■制度:退職金制度、団体生命保険加入、財形貯蓄制度、従業員持株制度など多数
■施設:テニスコート、宿泊施設、レジャー施設、スポーツクラブ、提携保養施設など多数
- 休日休暇
- 年間130日/(内訳)完全週休2日制(土・日)、祝日、夏期休暇、年末年始、慶弔休暇、産前産後休暇、育児休暇、介護休暇など