募集要項
- 仕事内容
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■AlN基板を用いたパワー半導体向け3族窒化物半導体薄膜の研究に関する以下業務をご担当いただきます。
【具体的には】
・AlN基板上のエピタキシャル成長技術の開発
・エピ成長した薄膜の解析
・Simulation等によるエピ構造やデバイス構造の工夫や改善提案
・富士の開発メンバーへの情報共有化、生産技術適用に向けた検討
【キャリアパスイメージ】
1～3年後：AlN基板を用いたパワー半導体の研究成果について対外発表を行い、この分野における第一人者としてご活躍いただくことを想定
3～5年後：研究だけにとどまらず、その成果を社会実装するためのロードマップを提示し、同社グループにおけるパワー半導体研究開発を引っ張っていくリーダーとしての活躍を想定
- 応募資格
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- 必須
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【必須要件】
■MOCVDまたはMBEを用いた化合物半導体薄膜成長技術の経験（3年以上）
【歓迎要件】
■窒化物半導体薄膜成長または化合物半導体デバイスプロセスの経験
■現場作業安全に関連する資格（危険物取扱者、特化則、有機則など）
- 雇用形態
- 正社員
- 勤務地
- 愛知県
- 勤務時間
- 08:30 - 17:15（コアタイム：10:00 - 15:00）
- 年収・給与
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500万円～1000万円(経験能力考慮の上優遇)
昇給1回、賞与2回
- 待遇・福利厚生
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【保険】
健康保険、雇用保険、労災保険、厚生年金
【諸手当】
通勤手当、住宅手当、資格手当、時間外手当 ※入社時に転居が必要な方に関しては、手厚い補助（引越し費用・寮社宅等）がございますので都道府県外からのご応募もお待ちしております。
- 休日休暇
- 年間121日前後／（内訳）週休2日制（土、日）、夏期休暇、年末年始、有給休暇、慶弔休暇、結婚休暇、リフレッシュ休暇
