募集要項
- 仕事内容
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■カーボンニュートラルなど環境負荷ゼロ社会の実現に繋がるワイドバンドギャップ半導体（SiC、GaN）などによるパワーデバイスの高性能化を目指した研究開発をご担当いただきます。
次世代車載用半導体（パワー半導体／ロジック半導体）や量子・光技術の研究、そのデバイス実装をご担当いただきます。
【具体的には】
パワーデバイスの実装、設計評価に関する業務、製品評価、解析、新商品開発
※様々な開発部門、顧客・共同研究先と連携して業務を進めていただきます。
- 応募資格
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- 必須
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【必須要件】
■半導体開発の経験をお持ちの方
(材料開発／デバイス設計・試作・評価／データ解析経験)
【歓迎要件】
■量産移管の経験や、ファウンドリーやOSATとの折衝経験
■パワー半導体(特に、SiC／GaN／人工ダイヤモンド)への知見をお持ちの方
■半導体のプロセス開発・工程導入の知見をお持ちの方
■外部委託先評価/選定の経験、外部委託先への技術移管経験
- 雇用形態
- 正社員
- 勤務地
- 栃木県
- 勤務時間
- 08:30 - 17:30（コアタイム：00:00 - 00:00）
- 年収・給与
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500万円～1000万円(経験能力考慮の上優遇)
昇給1回、賞与2回
- 待遇・福利厚生
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【保険】
健康保険、雇用保険、労災保険、厚生年金
【諸手当】
通勤手当、住宅手当、家族手当、時間外手当
【待遇・福利厚生】
寮・社宅、資格取得、社員持株、退職金
- 休日休暇
- 年間121日／（内訳）完全週休2日制・祝日・8月休暇（夏季）・年末年始・有給休暇、慶弔休暇
