募集要項
- 募集背景
- 非公開情報も含むため、詳しくは求人紹介時に担当コンサルタントよりご案内いたします。
- 仕事内容
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旭化成株式会社での募集です。■パワー半導体の研究開発
化学（研究・開発・分析）のご経験のある方は歓迎です。
・AlN基板上のエピタキシャル成長技術の開発
・エピ成長した薄膜の解析
・Simulation等によるエピ構造やデバイス構造の工夫や改善提案
・富士の開発メンバーへの情報共有化、生産技術適用に向けた検討
＜従事すべき業務の変更の範囲＞
会社が定める業務
＜仕事の魅力・やりがい＞
・名古屋大学の世界トップクラスの研究者に囲まれた環境で自身の能力を研鑽できます。
・旭化成グループ内の事業部組織と連携することで、自身の研究成果を社会実装へと導く道のりを当事者として経験できます。
＜キャリアパスイメージ＞
▼1～3年後
AlN基板を用いたパワー半導体の研究成果について対外発表を行い、この分野における第一人者としてご活躍いただきたいと考えています。
また、旭化成グループ内の研究開発テーマの方向性についてアイデアの創出や提案を行い、業務を推進いただけることを期待しています。
▼3～5年後
研究だけにとどまらず、その成果を社会実装するためのロードマップを提示し、旭化成グループにおけるパワー半導体研究開発を引っ張っていくリーダーとしてのご活躍を期待しています。
＜参考URL＞
https://www.nagoya u.ac.jp/researchinfo/result/2023/12/aln pn aln.html
- 応募資格
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- 必須
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＜最終学歴＞
大学院以上
＜必要な業務経験/スキル＞
MOCVDまたはMBEを用いた化合物半導体薄膜成長技術の経験（3年以上）
＜望ましい業務経験/スキル＞
窒化物半導体薄膜成長または化合物半導体デバイスプロセスの経験
＜望ましい資格＞
・現場作業安全に関連する資格（危険物取扱者、特化則、有機則など）
＜求める人物像＞
・自分自身で仮説を立て、それを検証するための手段を積極的に立案し、自ら推進できる方。
・協調性があり、関係部署メンバーとコミュニケーションしながら、周囲を巻き込んで業務遂行できる方。
・困難があっても、前向きに粘り強く課題に挑戦していける方。
- フィットする人物像
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JAC Recruitmentでは、担当コンサルタントが直接企業へ訪問。だからお伝えできることがあります。
面談の際に、採用担当者からお聞きした情報やコンサルタント自身が感じた選考のポイントを皆さまへお届けします。
- 雇用形態
- 無期雇用
- ポジション・役割
- スタッフ
- 勤務地
- 愛知県
- 勤務時間
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【就業時間】08:30 ～ 17:15
【労働時間制等】通常の労働時間制
- 年収・給与
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【年収】600万円 - 1000万円
- 待遇・福利厚生
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【通勤手当】全額支給
【社会保険】健康保険
厚生年金
雇用保険
労災保険
【その他手当】住宅手当
- 休日休暇
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【有給休暇】有給休暇は入社時から付与されます
入社7ヶ月目には最低10日以上
【休日】週休二日制
・週休2日制、祝日、年末年始、年次有給休暇など
・特別休暇（忌引や結婚等）、家族看護休暇など
※詳しくは選考過程でご案内いたします。
- キャリアパス・評価制度
- 【昇給】年1回 (6月)
