募集要項
- 仕事内容
-
【業務について】
IGBTデバイス開発・設計、プロセス開発業務・テストライン構築に従事していただきます。
部門間の関係性として、事業部門が製品売上に対する責任と権限をもっており、事業部門からの依頼という形でデバイス開発部門が要求特性を満足するデバイス・プロセスを開発するという形をとります。
実際の業務内容としては、TCADを使ったデバイスシミュレーション、CADを使ったTEGマスク作製業務、滋賀工場でウェハプロセスフローを構築して試作ロットの流動、試作したウェハの電気特性評価、不良品の物理解析など、デバイス開発の前工程部分を一貫してご担当いただく予定です。ディスクリート製品では、開発の上流から下流までの業務を広く受け持つため、デバイス開発エンジニアとしてのスキルが一通り身に付きます。
守備範囲が広くなるので、ユーティリティな能力が必要と思われるかもしれませんが、解析やシミュレーション、ウェハプロセスの要素技術など、一定の高度なスキルが必要な業務については、保有スキルによって関係部署やメンバーで分業することで効率的に開発を進めています。
【募集背景】
IGBTデバイス開発・設計、プロセス開発に関する業務。パワー半導体市場は競合も多いですが、今後も市場規模は成長していきます。パワーのロームというブランドを確立するため、確固たるシェアをとるべく、現在の開発案件や次世代の開発を加速させていきます。
【就業環境】
・残業時間：月平均30時間程度
・リモートワーク：可 平均週1回程度 ※所属長が認めた場合可
【ポジションの魅力】
ディスクリート製品では、開発の上流から下流までの業務を広く受け持つため、デバイス開発エンジニアとしてのスキルが一通り身に付きます。個人のキャリアビジョンに合わせて特定分野で専門性を高めていく選択肢もあります。
滋賀と京都は物理的な距離が近いので、事業部門との距離も近く、スピード間を感じながら開発を進めていけます。
競合が多いパワ-半導体開発では、性能面での比較が容易なため他社性能を 超えている/いない がすぐわかります。競合に先んじる技術を開発すべく、日々新たチャレンジの精神をもってチーム一丸で動いています。
- 応募資格
-
- 必須
-
【必須】
・MOSFETの構造・動作特性の基本的な理解
・半導体プロセスの基本的な理解
【歓迎】
・基礎的な電気回路の理解
・ウェハプロセス工場での開発業務
【語学力】
・英語の読み書き(メールや文献を読む)レベル
論文や仕様書を英語で読む、海外とのメール
- 雇用形態
- 正社員
- 勤務地
- 京都府
- 年収・給与
- 500～850万円
