設計・開発エンジニア(電子回路)
フラッシュメモリ設計エンジニア
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フラッシュメモリ設計エンジニア
の転職・求人情報はすでに掲載終了しております。(掲載期間6月6日~6月19日)

※ 掲載時の募集要項はページ下部よりご確認いただけます。
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掲載時の募集要項掲載期間:2024/06/06 ~ 2024/06/19)
設計・開発エンジニア(電子回路)

フラッシュメモリ設計エンジニア

ウィンボンド・エレクトロニクス株式会社
外資系企業

募集要項

募集背景
コンサルタントより詳細をご説明させていただきます。
仕事内容
これまでのご経験を生かして活躍しませんか。
エンジニアの転職はメイテックネクストへご相談ください
【プログラム格納用メモリ世界トップクラスシェア/海外市場上場のグローバル企業/2000億円の売上/離職率3%/残業月20時間程度】
デザインエンジニアとして、不揮発性メモリの設計・開発をお任せいたします。
1X、2Xnm世代のNAND設計開発を行っていただきます。

◆同社の特徴・魅力:
◇安定した雇用…当社の事業戦略から安定した業績を重ねているため、半導体メーカーによく見られる人員削減を実施したことがございません。安心して働き続けられる環境が整っております。
◇長期就業が可能な環境…中途入社の社員が多いこともあり、社内の風通しは良く、近年の離職率も3%と多くの社員が長期的に就業をしております。個人の裁量が大きいため、場所を選ばず効率的な働き方が可能で、残業月20時間程度が平均となっております。
◇景気変動を受けにくい安定経営…半導体業界の中でも景気変動や開発競争が激しい、PCやスマホ向けメモリからは撤退をしており、オートモーティブ領域やアミューズメント機器、固定電話等、製品ライフサイクルが長い分野に製品を集中させております。これらの製品に使用されるメモリは同じものを長期的に供給することが求められるため、設備投資も一定規模で抑えることができ、安定した受注を重ねることに成功しております。
応募資格
必須
【必須】
(1)科学、工学、電気工学系専攻
(2)英語での基本的なコミュニケーションスキル
(3)1Xまたは2XnmのNANDメモリに関する3年以上の実務経験があり、以下に精通していること
・I/O、論理回路、アナログ回路とメモリのレイアウト
・ワンチップとリード/ライトパスのシミュレーション
・Si.を使用しての評価
(4)英語力:ビジネスレベル
歓迎
応募資格をご覧ください。
フィットする人物像
応募資格をご覧ください。
雇用形態
正社員
勤務地
神奈川県
勤務時間
09:00~18:00
年収・給与
600万円~1200万円
■年収についての補足
※給与詳細は、経験・スキルを考慮の上決定致します。
■昇給:年1回
■賞与:年2回※業績賞与あり
待遇・福利厚生
■諸手当
通勤手当、リロクラブ加入/保養所・提携旅館・スポーツクラブ等、退職金制度:中小企業退職金共済組合に加入・前払い可能、昼食補助
■各種保険
健康保険 厚生年金 雇用保険 労災保険
休日休暇
完全週休2日制(休日は土日祝日)、GW、夏季、年末年始休暇、年次有給休暇等
選考プロセス
■面接回数2■試験内容面接2回予定※英文レジュメ必須
※英語でのTV電話会議を行う可能性がございます。

会社概要

社名
ウィンボンド・エレクトロニクス株式会社
事業内容・会社の特長
【ウィンボンド・エレクトロニクスは、台湾台中に本社を置く、半導体メモリ・ソリューションの世界的リーディング・サプライヤです。】
◆スペシャリティメモリの設計、製造、販売
※NORフラッシュメモリ分野でトップクラスのシェアを有するWinbond Electronics社(台湾)の日本法人です。(1987年の9月に設立、1995年台湾株式取引市場に上場)
【主要製品】スペシャリティDRAM、モバイルDRAM、コードストレージ・フラッシュメモリ
【売上高】2017年の事業収益は約12.5億USドルです。
【本社所在地】台湾 台中科学技術園区内
【オフィス】香港、中国、日本、イスラエル、米国(前世界で約2800人の従業員が在籍)
設立
2001年1月
資本金
1億4850万円
従業員数
95人
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