募集要項
- 仕事内容
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・世界初SiC半導体の開発に成功した半導体メーカー【業務について】
・カスタマイズ・一貫生産・高品質が強み、EV市場とともに急成長
・30歳700万円/35歳800万円/管理職1000万円～
SiパワーMOSのデバイス開発・設計、プロセス開発業務に従事していただきます。
部門間の関係性として、事業部門が製品売上に対する責任と権限をもっており、事業部門からの依頼という形でデバイス開発部門の我々が要求特性を満足するデバイス・プロセスを開発するという形をとります。
実際の業務内容としては、TCADを使ったデバイスシミュレーション、CADを使ったTEGマスク作製業務、滋賀工場でウェハプロセスフローを構築して試作ロットの流動、試作したウェハの電気特性評価、不良品の物理解析など、デバイス開発の前工程部分を一貫してご担当いただく予定です。
ディスクリート製品では、開発の上流から下流までの業務を広く受け持つため、デバイス開発エンジニアとしてのスキルが一通り身に付きます。
守備範囲が広くなるので、ユーティリティな能力が必要と思われるかもしれませんが、解析やシミュレーション、ウェハプロセスの要素技術など、一定の高度なスキルが必要な業務については、保有スキルによって関係部署やメンバーで分業することで効率的に開発を進めています。
【募集背景】
SiパワーMOSの市場は競合も多いですが、今後も市場規模は成長していきます。
パワーのロームというブランドを確立するため、確固たるシェアをとるべく、現在の開発案件や次世代の開発を加速させていきます。
【就業環境】
・残業時間：月平均30時間程度
- 応募資格
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- 必須
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【必須】
・MOSFETの構造・動作特性の基本的な理解
・半導体プロセスの基本的な理解
【歓迎】
・基礎的な電気回路の理解
・ウェハプロセス工場での開発業務
- フィットする人物像
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<PlaceHolder Name="Item.source.27">Client.U_C6AEFF6663B9654600B84489EBABAD</PlaceHolder>【必須】
・MOSFETの構造・動作特性の基本的な理解
・半導体プロセスの基本的な理解
【歓迎】
・基礎的な電気回路の理解
・ウェハプロセス工場での開発業務
- 雇用形態
- 正社員（期間の定めなし）
- 勤務地
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以下いずれかの勤務となります。※勤務地希望考慮有り
京都府京都市（京都本社）JR西大路から徒歩15分、阪急西京極から徒歩10分、西院から徒歩15分
滋賀県大津市(滋賀工場) JR琵琶湖線石山駅より徒歩6分
- 勤務時間
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■京都本社/8:15～17:15(休憩1時間含む) ■本社以外の勤務地/8:30～17:30(休憩1時間含む)
フレックスタイム 有 コアタイム 無
- 年収・給与
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給与形態：月給制
給与事例：30歳年収700～750万円/35歳年収770～800万円/40歳年収850万円～/管理職1000万円～
※固定手当・残業手当含む
※年収詳細などは面談時にお伝えいたします。
- 待遇・福利厚生
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住宅手当：4.5万円/月
交通費支給あり(距離に応じて支給)
その他：
各種社会保険完備、財形貯蓄制度、持株会制度、社長賞(研究開発や営業などの成果を年に一度表彰)、コーポレートカード、社員食堂、提携保養施設(スポーツクラブ、レジャー施設など)等
- 休日休暇
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年間休日：130日（2023年度）/完全週休2?制（??）、祝?、夏期休暇、年末年始
その他：年次有給/慶弔/産前産後/育児休暇/介護休暇
- 選考プロセス
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◇選考内容
面接 2回 筆記試験 有 (GAB)
