募集要項
- 募集背景
- コンサルタントより詳細をご説明させていただきます。
- 仕事内容
-
これまでのご経験を生かして活躍しませんか。電動車に不可欠な次世代パワー半導体(SiC-MOS)のデバイス設計やデバイスのプロセス工法開発及びその評価(以下業務のいずれかに携わって頂きます)
エンジニアの転職はメイテックネクストへご相談ください
◆パワーデバイスの設計、デバイス開発
◆パワーデバイスのプロセス工法開発
◆パワーデバイス向け要素技術開発
◆パワーデバイスのCAE、試作、評価、解析
■募集背景…地球環境問題は重要な課題であり、そのためにモビリティの電動化を急速に進めて行く必要があります。パワー半導体は、電動車のモータを駆動するための重要なキーデバイスです。我々は、より低損失で小型化に向けたパワー半導体(SiCーMOS)の研究開発を行っております。SiCパワー半導体は、燃費(電費)の向上、電池搭載量削減、航続距離向上が図れるため、Siに変わる次世代半導体として競争が急激に激化しています。電動化を進めていくには、良品廉価で低損失化しつつ、且つ高い信頼性を有するSiCパワー半導体をスピーディに開発、製品化することが求められています。一緒にSiC-MOSのデバイス開発に取組み、世界の電動化をリード、新しいモビリティの付加価値を創出していく、チャレンジ意欲がある人材を求めています。
- 応募資格
-
- 必須
-
[必須要件]
■半導体に関する知識を有すること
■半導体デバイスの設計、評価、又はプロセスインテグレーション、またはウエハ加工プロセス技術の開発経験(目安2年以上)
[歓迎要件]
□デバイス設計、又はプロセスインテグレーション、又はウエハ加工プロセス技術の開発経験(3年以上)尚可
□プロジェクトリーダまたはサブリーダの経験者尚可
- 歓迎
- 応募資格をご覧ください。
- フィットする人物像
- 応募資格をご覧ください。
- 雇用形態
- 正社員
- 勤務地
- 愛知県
- 勤務時間
- 08:40~17:40
- 年収・給与
-
500万円~1200万円
■年収についての補足
※上記年収レンジは目安です。前職の給与・スキル・経験・等を考慮の上、当社規定で決定致します。【モデル年収例(時間外0時間)】・年収800円/35歳 ・年収1150万円/45歳
- 待遇・福利厚生
-
■諸手当
◎通勤手当 ◎家族手当 ◎残業手当 ◎役職手当 ◎資格手当 ■その他…海外トレーニー制度/海外大学院留学制度/育成ローテーション制度/社内公募制度/FAローテーション制度/階層別教育/スキルアップ研修/ハイタレント研修/キャリアデザイン制度/よりそいトーク
■各種保険
■健康保険 ■厚生年金 ■雇用保険 ■労災保険
- 休日休暇
- ◎完全週休2日制(土曜・日曜) ◎GW・夏期・年末年始 ◎有給休暇(最高20日/1年) ◎特別休暇 ◎慶弔休暇 ◎産前・産後休暇 ◎子の看護休暇(子1人:年5日 子2人以上:年10日) ◎介護休暇 ◎介護休職 ※事業所内託児施設(刈谷、幸田、大安エリア)
- 選考プロセス
- ■面接回数2■試験内容※カジュアル面談相談可 ▼Web試験 ▼1次面接:人事担当 + 部門担当 ▼2次面接:役員面接 ※Web面接完結(1回から2回)