募集要項
- 仕事内容
-
■SiCパワーデバイス開発・設計、プロセス開発業務に従事していただきます。
【具体的には】
・SiC(シリコンカーバイト)は次世代の半導体材料として注目されており、従来のSi半導体に比べ、小型化、低消費電力化、高効率化が可能なパワー素子が実現できます。
・既に2012年に製品化もしており、新製品の開発を担当いただきます。
- 応募資格
-
- 必須
-
【必須要件】下記いずれかの経験をお持ちの方
・LSI前工程(ウエハプロセス)プロセス開発、またはプロセス技術経験者
・プラズマエッチングプロセス経験者、または薄膜プロセス経験者
- 雇用形態
- 正社員
- 勤務地
- 福岡県
- 勤務時間
- 08:15 - 17:15(コアタイム:00:00 - 00:00)
- 年収・給与
-
500万円~750万円(経験能力考慮の上優遇)
昇給1回、賞与2回
- 待遇・福利厚生
-
【保険】
健康保険、雇用保険、労災保険、厚生年金
【諸手当】
通勤手当、住宅手当、家族手当
【待遇・福利厚生】
■制度:退職金制度、団体生命保険加入、財形貯蓄制度、従業員持株制度など多数
■施設:テニスコート、宿泊施設、レジャー施設、スポーツクラブ、提携保養施設など多数
- 休日休暇
- 年間130日/(内訳)完全週休2日制(土・日)、祝日、夏期休暇、年末年始、慶弔休暇、産前産後休暇、育児休暇、介護休暇など