募集要項
- 仕事内容
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■デバイスインテグレーション開発エンジニアとして、以下の業務を担当していただきます。
【具体的には】
・IGBT、DiodeなどのSiデバイス開発エンジニア
・IGBT、Diodeの開発業務、Wafer Processインテグレーション技術構築業務
- 応募資格
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- 必須
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【必須要件】下記いずれかに該当する方。
・半導体プロセスインテグレーションの経験をお持ちの方。
・MOSFET、IGBT、Diode等のパワーデバイス開発経験をお持ちの方。
- 雇用形態
- 正社員
- 勤務地
- 京都府
- 勤務時間
- 08:15 - 17:15(コアタイム:00:00 - 00:00)
- 年収・給与
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500万円~750万円(経験能力考慮の上優遇)
昇給1回、賞与2回
- 待遇・福利厚生
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【保険】
健康保険、雇用保険、労災保険、厚生年金
【諸手当】
通勤手当、住宅手当、家族手当
【待遇・福利厚生】
■制度:退職金制度、団体生命保険加入、財形貯蓄制度、従業員持株制度など多数
■施設:テニスコート、宿泊施設、レジャー施設、スポーツクラブ、提携保養施設など多数
- 休日休暇
- 年間130日/(内訳)完全週休2日制(土・日)、祝日、夏期休暇、年末年始、慶弔休暇、産前産後休暇、育児休暇、介護休暇など