募集要項
- 仕事内容
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【職務内容】
・SiCパワーデバイス開発・設計
・SiCパワーデバイスプロセス開発/プロセスインテグレーション
SiC(シリコンカーバイト)は次世代の半導体材料として注目されており、従来のSi半導体に比べ、小型化・低消費電力化・高効率化が可能なパワー素子が実現出来ます。
既に2012年に製品化もしており、新製品の開発を行って頂きます。
※ご経歴を拝見し、可能性のある方については他の化合物半導体の開発エンジニアについても検討させていただきます。
※勤務地についてはご希望をお伺いの上、決定いたします。
- 応募資格
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- 必須
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【必須】
・半導体業界でSiCの研究開発経験
・トランジスタ/ダイオード/LSI等のデバイス開発経験
・半導体プロセス開発経験、プロセスインテグレーション経験
※上記、いずれかのご経験がある方。
- 雇用形態
- 正社員
- 勤務地
- 京都府
- 年収・給与
- 500~850万円