募集要項
- 仕事内容
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【業務について】
■GaNデバイス・プロセスの設計・開発業務
信頼性/歩留まり改善業務
■Foundry開発
【募集背景】
■GaNデバイス量産体制構築、開発体制強化
量産化に向けて、工場への技術移管を進めていくリーダー人財を
求めております。
＜GaNパワーデバイスとは＞
GaN（窒化ガリウム）とは、次世代パワーデバイスに用いられる半導体材料のこと。物性に優れており、高周波特性を活かし、低耐圧領域で採用が始まっている。例えば、GaNパワーデバイスを、DC/DCコンバータやインバータなどの電源装置に搭載すれば、電力変換効率の向上や装置の小型化などを実現できる。既に量産化が始まっているSiC（シリコン・カーバイド）を補完するパワーデバイスとして、今後も普及が期待されています。
※ご経歴を拝見し、可能性のある方については他の化合物半導体の開発エンジニアについても検討させていただきます。
※勤務地についてはご希望をお伺いの上、決定いたします。
- 応募資格
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- 必須
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【必須】
・半導体材料物性、半導体プロセスの知識
【歓迎】
・GaNデバイス、プロセス設計のご経験がある方
・GaNデバイスの製造、量産化のご経験がある方
・英語での技術ディスカッションが可能な方
【求める人物像】
・マネジメント経験又は、周囲を巻き込み業務を進められる方
- 雇用形態
- その他
- 勤務地
- 京都府
- 年収・給与
- 500～850万円
