設計・開発エンジニア（電子回路）
【群馬/茨城/山梨/愛媛】SiCパワーデバイス開発エンジニア
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掲載時の募集要項（掲載期間：2024/04/24 ～ 2024/05/07）
設計・開発エンジニア（電子回路）

【群馬/茨城/山梨/愛媛】SiCパワーデバイス開発エンジニア

ルネサスエレクトロニクス株式会社

募集要項

仕事内容
■職務内容
▼SiCパワーデバイス・プロセス開発
・構想検討から量産技術確立までのウェハプロセス開発エンジニア
・デバイス構造設計やウエハプロセスフロー構築
・要素プロセス技術（ウエハプロセス、裏面プロセス）、製品設計、品質保証など多部門との連携
応募資格
必須
■人材要件
MUST
　・半導体デバイス構造設計やプロセス開発経験　３年以上
　　（半導体物理の基礎知識、ウェハプロセス試作経験）
　・期待する行動役割など(求める人物像)
　　パワーデバイス未経験の方でも当分野トップレベルのエンジニアとしてスキルアップに取り組める方

WANT
　・パワーデバイス（IGBT，パワーMOS(Si，SiC）開発経験

Nice to have
　・TCADシミュレーションスキル
　・TEGレイアウトスキル
　・デバイス電気特性評価スキル
　・海外との共同プロジェクト経験
　・パワーエレクトロニクス全般の基礎知識

必要な語学
英語　ビジネス会話ができる (TOEIC 700点程度)
日本語　ビジネス会話ができる
雇用形態
正社員
勤務地
群馬県
年収・給与
500～1000万円

会社概要

社名
ルネサスエレクトロニクス株式会社
事業内容・会社の特長
【事業内容】
■同社は2010年4月、ルネサステクノロジ社（日立製作所と三菱電機の半導体部門が統合して誕生）とNECエレクトロニクス社の合併により誕生した半導体メーカーです。車載用マイコンに強みを持ち、世界有数の半導体ソリューションプロバイダーとして業界をリードしています。

【ソリューション展開】
(1)オートモーティブ
自動車向け事業では、パートナーやお客様への開かれた開発環境と共に、電力消費にかかわる革新的なパフォーマンス、世界的に信頼されている車載製品の品質、そしてFuSa/Security関連の技術を通じて、特に車両設備のエンドポイントへと、革新的で総合的なエンドツーエンドソリューションを提供しています。
(2)インダストリアル
産業向け事業では、手軽に導入できるリアルタイムのアプリケーション・ソリューションを提供しています。ルネサスが供給する安全で堅牢なセンサー、ドライブ、ネットワークやコントロールを通じて自動生産を実現しています。組み込みAI技術によりエンドポイントの監視・管理が強化されています。
(3)インフラ
インフラ向け事業では、すべての建物や機械がつながっている社会を目指します。そのようなインテリジェント環境では、持続可能な基盤を作ることができ、社会の進化を可能にします。
(4)IoT
IoT向け事業では、お客様と共に、日常的に使用するモノのインテリジェント化を進め、身の回りで起こる変化を把握し、適応できるような自宅環境を目指します。ルネサスは、人々と自宅との動的で双方向の関係性構築に取り組んでいます。
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職種
技術系（電気・電子・半導体）設計・開発エンジニア（電子回路）
業種
メーカーメーカー（電気・電子・半導体）
勤務地
群馬県
Q.
エージェント（人材紹介会社）を利用して、転職をするメリットは何でしょうか。
A.
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また、より良い待遇条件で転職が決まるように条件面での交渉をしてもらえます。
ルネサスエレクトロニクス株式会社の転職・求人情報 25823589。【群馬/茨城/山梨/愛媛】SiCパワーデバイス開発エンジニア。プロのコンサルタントがサポートする日本最大級のキャリア転職情報サイト。年収800万円以上の高年収、管理職、スペシャリストの求人、非公開求人スカウトも多数。