募集要項
- 仕事内容
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【募集の背景】
将来の光源研究の加速化に向け、半導体結晶成長に関わる人員の補充が急務となるため、ご経験がある方をお迎えしたいと考えております。
【配属部門の概要】
GaN系材料を用いた各種可視光レーザー研究・開発を行っています。MOCVDを用いた結晶成長～素子化プロセス～実装・評価にわたる一連の研究・開発を行っています。
【担当する業務（概要）】
レーザー開発におけるMOCVDを活用した結晶成長あるいは素子化開発、その評価を担当頂きます。
【担当する業務（詳細）】
新規の可視光レーザー開発。具体的には可視光VCSELおよびPCSELの研究・開発となります。
具体的には下記のいずれかになります。配属は御本人の特性により決定致します。
・MOCVDによるGaN系LDの結晶成長・評価
・素子化プロセス開発・評価
・実装～信頼性確保の開発
- 応募資格
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- 必須
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【求めるスキル】
・半導体結晶成長または素子化プロセスの知識・経験
・光学評価（PL，EL）、電気的評価（I-V、Hall、C-V）、結晶評価（XRD、SIMS、TEM）の知識・経験
・実務経験2年以上
【歓迎スキル】
・GaN系材料のMOCVD成長経験
・GaN系レーザーの素子化プロアセス経験
・GaN系LEDまたはLDの開発経験者
【求める人物像】
1)関連部署との折衝力
・チームにより開発していく為、チーム内外の関係部署との連携強化が求められる。
・開発計画を立案し開発のPDCAを主導することができる。
2)企画立案力
・ユーザー目線での新しい技術アイデアを発掘し、企画することができる。
３）知識・技能
・GaN系光学デバイスに対する知識・技能をお持ちの方
- 雇用形態
- 正社員
- 勤務地
- 山形県
- 年収・給与
- 500～750万円
