募集要項
- 募集背景
- コンサルタントより詳細をご説明させていただきます。
- 仕事内容
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これまでのご経験を生かして活躍しませんか。■パワーデバイスの『第3の矢』、GaNパワーデバイスの製造技術に関する業務をご担当いただきます。
エンジニアの転職はメイテックネクストへご相談ください
・世界でロームでしか作れない高ゲート耐圧構造のGaNデバイス事業を更に発展させるために、製造プロセスの安定化や品質改善、生産性向上、歩留り改善などに取り組んでいます。
【具体的には…】
半導体プロセスおよびデバイスエンジニアの視点から、製造ラインの改善に加わって頂きます。
GaNエピタキシャル成長、ドライエッチングやスパッタリング、洗浄、CVD、フォトリソグラフィといった半導体プロセス技術、GaNパワーデバイスに関係するテスト技術などの中から、適性や経験に応じて製造技術的な課題を選定し、改善業務を担当して頂きます。適性によっては次機種に向けたプロセス開発など、先駆的な技術開発も担当頂く可能性があります。
クリーンルーム内で半導体プロセスに関わる業務を主とします。新規事業分野のため主体性とスピードが重視されますが、困った場合は周囲が全力でサポートしますので、経験が少なくても安心して業務に取り組んで頂くことが出来ます。
【就業環境】
・残業：月平均30時間程度
・リモートワーク：可（週1回程度）
・出張：頻度：直近1-2年は浜松に出張する可能性が高いです。
期間：3-5日間/回
【GaNパワーデバイスとは】
GaN（窒化ガリウム）とは、次世代パワーデバイスに用いられる半導体材料のことです。物性に優れており、高周波特性を活かし、低耐圧領域で採用が始まっていまる。例えば、GaNパワーデバイスを、DC/DCコンバータやインバータなどの電源装置に搭載すれば、電力変換効率の向上や装置の小型化などを実現できます。既に量産化が始まっているSiC（シリコン・カーバイド）を補完するパワーデバイスとして、今後も普及が期待されています。
【配属部署のミッションや課題】
・GaNデバイスの製造技術に関して、製造安定化、品質・歩留り改善、プロセス開発、測定技術の改善です。
・生産数量を増やしていくために、エピ欠陥の低減やエッチング安定性の改善、ゲートリーク電流の低減、GaNスクリーニング技術の改善といった多くの課題を対策していく必要があります。
【募集背景】...
- 応募資格
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- 必須
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【必須】
・半導体プロセス または デバイスの設計、開発、製造、工程改善、品質向上、 歩留り改善、ライン立ち上げのいずれかに関わる業務経験(3年以上)
【歓迎】
・化合物半導体に関する知識、開発、研究経験
・半導体製造装置に関する知識、経験、技能
・半導体前工程における稼働率アップ、コスト削減に関する経験
・ガス、薬品、装置等の安全管理に関する知識
・標準化および統計的手法に関する知識
・グループを率いたリーダー経験
- 歓迎
- 応募資格をご覧ください。
- フィットする人物像
- 応募資格をご覧ください。
- 雇用形態
- 正社員
- 勤務地
- 静岡県
- 勤務時間
- 08:15～17:15
- 年収・給与
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500万円～1000万円
■年収についての補足
■昇給：毎年4月に改定、賞与：年間6.05ヵ月分(2022年6月・2022年12月実績%2F社員平均値)
- 待遇・福利厚生
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■諸手当
通勤手当 家族手当(※18歳未満の子ども1人につき2000円支給) 住宅補助 残業手当 財形貯蓄制度 従業員持ち株制度 食事手当6000円、技術手当
■各種保険
健康保険 厚生年金 雇用保険 労災保険【福利厚生】コーポレートカード発行、社員食堂有、財形貯蓄、持株会、確定拠出年金制度、福利厚生パッケージ(「自己啓発」、「育児・介護」、「映画やゴルフなどのレジャー」、「ホテル・宿泊施設のご利用」、「様々な飲食店のクーポン」など、その他多数)
- 休日休暇
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土曜、日曜、国民の祝日、夏期休暇 年末年始 有給休暇 結婚休暇、忌引休暇、罹災休暇、配偶者出産休暇、転勤休暇、出向休暇、公務休暇、伝染病隔離休暇、
子の看護休暇、介護休暇、産前・産後休暇、生理休暇、育児休業、介護休業、ボランティア休暇
- 選考プロセス
- ■面接回数2■試験内容書適性検査（マーク式）有
