募集要項
- 募集背景
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・需要拡大が見込まれる低耐圧MOSFET、IGBTの生産能力を増強するための300mmウエハー対応の新製造ラインの構築、および新製品に対応した新規プロセス・装置を開発する人材を募集。
・化合物半導体の大口径化に適したウェーハ製造プロセス・装置を開発する人材を募集。
- 仕事内容
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・パワーデバイスのプロセス開発、装置開発
【製品】
ディスクリート半導体(特にパワーデバイス)
- 応募資格
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- 必須
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学生時代の専攻が機械系・化学系・電気電子・技術系などものづくりに関する方
- 歓迎
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・半導体に関する知識をお持ちの方
・半導体のユニットプロセス技術経験者
・半導体装置メーカー、半導体材料メーカー等、半導体関連メーカーに在籍され、ユニットプロセスの知見がある方
- 雇用形態
- 正社員
- 勤務地
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石川県能美市岩内町1-1
東芝デバイス&ストレージ株式会社 加賀分室
- 勤務時間
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8:15~17:00(休憩1時間、所定労働時間7時間45分)
※平均残業時間:20h程度
※会社/事業所により異なる場合があります
※フレックスタイム制度あり
※在宅勤務制度あり
- 年収・給与
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年収450万円 ~ 1000万円
月給21万円 ~
【諸手当】
住宅手当、次世代育成手当、通勤手当、時間外勤務手当、深夜手当など(当社規定による)
※エキスパート級での採用(年収1,000万円)については管理監督者にあたるため、住宅手当、次世代育成手当、時間外勤務手当等は不支給となります。
- 待遇・福利厚生
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【福利厚生】
寮・社宅制度あり、カフェテリアプラン制度あり
【退職金】
退職金制度あり、確定拠出年金制度あり
【社会保険】
健康保険、労災保険、厚生年金、雇用保険
【備考】
業務の変更範囲:会社の指示する業務
就業場所の変更範囲:会社の指示する場所 (労働者の自宅等リモートワークを行う場所を含む)
- 休日休暇
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年間休日126日(2024年度)、週休2日制(土・日)、祝日、年末年始、特別休日
年次有給(初年度は入社月によって変動。半日取得可、最大24日付与、繰越制度あり)、その他休暇(慶弔・夏季・災害休暇など)
- 選考プロセス
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書類選考 ⇒ WEB面接(2回)
※WEB面接実施までに適性検査を受けていただきます
※面接回数は変更となる可能性がございます。