募集要項
- 募集背景
- コンサルタントより詳細をご説明させていただきます。
- 仕事内容
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これまでのご経験を生かして活躍しませんか。◆研究スタッフとして、下記を中心にお任せします。SiCやGaNを超える低損失・高耐圧デバイスの実現を目指します。
エンジニアの転職はメイテックネクストへご相談ください
・次世代ダイオード、トランジスタの研究開発（設計／試作／評価／解析）
◆ご経験や能力に応じて、将来的には下記をお任せする可能性もあります。
・プロジェクトマネジメント
・研究テーマの設定
・研究計画の立案
- 応募資格
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- 必須
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下記いずれかの経験
・パワー半導体の開発、設計
・パワー半導体の試作、評価
・IGBT、MOS、高圧IC、ディスクリート、LED、LD等
【歓迎】
・化合物半導体の経験(SiC、GaN等)
- 歓迎
- 応募資格をご覧ください。
- フィットする人物像
- 応募資格をご覧ください。
- 雇用形態
- 正社員
- 勤務地
- 埼玉県
- 勤務時間
- 08:30～17:20
- 年収・給与
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560万円～1140万円
■年収についての補足
※給与は経験・能力を考慮して決定します。
- 待遇・福利厚生
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■諸手当
・通勤手当(全額支給)・高速代補助・社宅(単身赴任者)・在宅勤務手当・食事手当・食堂利用OK・お弁当注文OK・インフルワクチン補助
■各種保険
健康保険 厚生年金 雇用保険 労災保険
- 休日休暇
- 完全週休2日制（土日祝）、有給休暇＊入社日より有給支給1hから使用可能、夏季休暇、GW、年末年始休暇、ワクチン休暇、慶弔休暇
- 選考プロセス
- ■面接回数2■試験内容(1)書類選考 (2)適性検査・一次面接(オンライン) (3)最終面接(来社・工場見学) (4)内定 ※選考プロセスは変更されるケースもございます。
