募集要項
- 仕事内容
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・世界初SiC半導体の開発に成功した半導体メーカー【職務内容】
・カスタマイズ・一貫生産・高品質が強み、EV市場とともに急成長
・ベンチャーマインドに溢れ、若手から裁量もって働けます
・LED、レーザーダイオード等化合物半導体デバイスのウェハプロセスのフォトリソ工程
・ドライ工程の設備技術・保全
・生産性向上、コストダウン、不良低減、設備稼働率改善
【ポジションの魅力】
・LED、LD等化合物半導体デバイスの前工程（ウエハプロセス）の量産化、プロセス開発、チップ供給、デバイス開発において世界レベルで競合を凌ぐことを目指して頂きます。化合物半導体の知識も身に着けて頂けます。
・設備系、技術系といった役割の切り分けは行っておりません。オプトデバイスの開発に必要な技術を幅広く経験して頂けます。
・アットホームな職場で周辺の社員と密にコミュニケーションを取りながら仕事を進めて頂けます。
- 応募資格
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- 必須
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【必須】
・ウェハプロセス（前工程）の設備経験をお持ちの方
【歓迎】
・ガス、薬液の知識を有する方
・半導体生産設備の種類、動作原理などの知識をお持ちの方
・化合物半導体の成膜プロセスの経験がある方
- フィットする人物像
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<PlaceHolder Name="Item.source.27">Client.U_C6AEFF6663B9654600B84489EBABAD</PlaceHolder>【必須】
・ウェハプロセス（前工程）の設備経験をお持ちの方
【歓迎】
・ガス、薬液の知識を有する方
・半導体生産設備の種類、動作原理などの知識をお持ちの方
・化合物半導体の成膜プロセスの経験がある方
- 雇用形態
- 正社員（期間の定めなし）
- 勤務地
- 京都本社（京都府京都市右京区西院溝崎町21）※JR 西大路より徒歩15分
- 勤務時間
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■京都本社/8:15～17:15(休憩1時間含む) ■本社以外の勤務地/8:30～17:30(休憩1時間含む)
フレックスタイム 有 コアタイム 無
- 年収・給与
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給与形態：月給制
給与事例：30歳年収600万円～700万円/35歳年収700～800万円/40歳年収850万円～/管理職1000万円以上
※固定手当・残業手当含む
※年収詳細などは面談時にお伝えいたします。
- 待遇・福利厚生
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住宅手当：4.5万円/月
交通費支給あり(距離に応じて支給)
その他：
各種社会保険完備、財形貯蓄制度、持株会制度、社長賞(研究開発や営業などの成果を年に一度表彰)、コーポレートカード、社員食堂、提携保養施設(スポーツクラブ、レジャー施設など)等
- 休日休暇
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年間休日：130日（2023年度）/完全週休2?制（??）、祝?、夏期休暇、年末年始
その他：年次有給/慶弔/産前産後/育児休暇/介護休暇
- 選考プロセス
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◇選考内容
面接 2回 筆記試験 有 (GAB)
