募集要項
- 仕事内容
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エピタキシャル成長製造装置開発のソフト（制御）開発を行っていただきます。●制御システムの設計、開発、評価、デバッグ
＜エピタキシャル成長製造装置の特徴＞
(1)ウェーハの高速回転による高速かつ均一性の高い成膜
(2)緻密に設計された垂直方向のガスフローによる均一なガス濃度分布
(3)高精度な面状ヒーターに非接触で配置することで高い温度均一性と高速昇降温特性
上記コア技術が実現することで高品質エピタキシャル成長層の形成を可能としています。
ソフト開発担当はこれらコア技術である「垂直方向のガスフロー」「ウェハーの高速回転」「温度均一なヒーター」を実現するためのソフトの開発を担います。
＜業務で使用するツール＞
・ソフト PLC（横河電機社製）
＜入社後お任せしたい業務＞
・ソフトウェア
上記業務内容を先輩社員がOJTでついて教育を行いながら、簡単な機能の追加やバグ修正をご担当いただきキャッチアップ頂きます。
【働き方】
・部署の平均残業時間：約20時間／月
・リモートワーク：有 （週に約2日在宅勤務）
【製品・同社の強み】
●電気自動車で使用される充電器や通信技術の5G・6Gなどの基地局は、エピタキシャル装置で製造されるパワー半導体がなければ急速充電あるいは高速通信ができないため注目されています。
●また、パワー半導体は省エネの部分においても、脱炭素推進が可能なものとして注目をされています。
●非常に入手困難な8インチSiCを製造しているメーカーに対して同社装置を納入できているため、最先端かつ技術の高さで競合他社と差別化ができています。
- 応募資格
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- 必須
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●PLCの使用経験をお持ちの方
●高専卒業以上
- 歓迎
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●半導体製造装置のソフト開発経験をお持ちの方
●英語でのコミュニケーションが可能な方。
- 募集年齢(年齢制限理由)
- 20歳 ～ 50歳 （特定年齢層の特定職種の労働者が相当程度少ないため）
- 雇用形態
- 正社員
- 勤務地
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神奈川県横浜市
※転勤なし
- 勤務時間
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8：45～17：30
※フレックスタイム制（コアタイム無し）
- 年収・給与
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【担当クラス】年収：420万円～730万円
【主任クラス】年収：670万円～940万円
【管理職クラス】年収：1070万円～1500万円
・昇給 年1回
・賞与 年2回
●年収例
・640万円：29歳独身
・760万円：33歳既婚・子1人
・1065万円：参事
・福利厚生支援制度：教育・健康・懇親 etc.に対し年間最大35万円の補助あり
・独身者用、世帯主用借り上げ社宅制度あり
※経験、能力等を考慮し、規定により支給いたします。
- 待遇・福利厚生
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・手当：時間外手当、役職手当、家族手当、通勤交通費
・社会保険：厚生年金、健康保険、雇用保険、労災保険、介護保険
・定年：60歳、再雇用：65歳まで
・退職金制度、企業年金
・財形制度
・借上げ社宅
・共済会制度、選択型福祉制度
・保養所、健康診断
・リフレッシュ休暇
・育児・介護休業制度、配偶者出産休暇制度
・教育研修制度 ほか
- 休日休暇
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・完全週休2日制(土・日)、祝日
・年末年始休暇、夏季休暇
・有給休暇
・慶弔休暇、特別休暇 等
・年間休日125日以上
