設計・開発エンジニア(その他、電気・電子・半導体)
CMOSイメージセンサのフィジカルデザイン(物理設計)
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CMOSイメージセンサのフィジカルデザイン(物理設計)
の転職・求人情報はすでに掲載終了しております。(掲載期間3月23日~4月5日)

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掲載時の募集要項掲載期間:2023/03/23 ~ 2023/04/05)
設計・開発エンジニア(その他、電気・電子・半導体)

CMOSイメージセンサのフィジカルデザイン(物理設計)

外資系企業 海外展開あり(日系グローバル企業) 土日祝休み

募集要項

募集背景
バックエンド フィジカルデザインエンジニア
仕事内容
CMOSイメージセンサのフィジカルデザイン(物理設計)
応募資格
必須
半導体フィジカルデザインのご経験
雇用形態
正社員
勤務地
神奈川県
年収・給与
700万円 ~ 1149万円

800万円 ~ 1499万円

【年収例】
1200万円/プロジェクトマネージャー/半導体経験17年/年俸1200万円
1000万円/プロジェクトマネージャー/半導体経験15年/年俸1000万円
700万円/チームリーダー/半導体経験8年/年俸700万円
待遇・福利厚生
交通費支給(規定/月2万円まで)
昇給年1回
社会保険完備

試用期間6ヶ月/待遇変動なし
休日休暇
<年間休日120日以上>

完全週休2日制(土日)
祝日
年末年始
夏季
有給休暇

会社概要

社名
非公開
事業内容・会社の特長
13ヵ国1万5000名以上を擁するグローバル・エンジニアリング・ソリューションカンパニーの日本支社
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Q.
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また、より良い待遇条件で転職が決まるように条件面での交渉をしてもらえます。
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