募集要項
- 募集背景
- 世界人口の3分の1の通信環境をサポートしている世界的に有名な通信企業様の日本法人様になります。近年、同社では通信端末以外にEV車の研究開発にも注力をされております。それらの中で今回は「結晶成長技術」に関わる技術者の方を増員でお迎えし、さらなる同社の製品・技術の向上を目指していきます。本ポジションの中は大きく分けて2つに分類されますので、ご自身が最も得意とされている領域をお任せすることが可能です。
- 仕事内容
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同社製品に使用する「結晶成長技術開発」に携わっていただきます。ご経験や得意領域に応じて2つの担当業務より専任業務が決まるため、Missionがそれぞれ異なります。「結晶成長技術開発エンジニア」というポジションの元、以下(1)～(2)のうちいずれかをご担当いただきます。
※ご希望があればご応募の際にお伝えください。
＜業務内容＞
(1)インゴット結晶成長技術開発エキスパート：
●高温昇華法・気相法・CZ法・FZ法等による単結晶成長の実施
●単結晶材料の結晶度や欠陥等の評価実施
●上記の単結晶成長において、関連部門と協力の上、仕様決め
●上記結晶の量産化を関連部門や外部機関と協力の上、実施
(2)エピタキシャル膜結晶成長技術開発エンジニア：
●SiCのエピタキシャル薄膜の成長を実施
●SiCエピ層の結晶度や欠陥等の評価を実施
●上記エピタキシャル成長において、関連部門と協力の上、仕様決め
●上記エピタキシャルウエハーの量産化を関連部門や外部機関と協力の上、実施
- 応募資格
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- 必須
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(1)インゴット結晶成長技術開発エキスパート：
●高温昇華法による単結晶インゴットの開発または量産経験
●高温溶融法のCZ法やZ法による単結晶インゴットの開発または量産経験
●結晶成長基礎理論を理解していること
●XRDやラーマン等の結晶評価法を理解していること
●結晶成長装置に関して基礎的な知識を有していること
(2)エピタキシャル膜結晶成長技術開発エンジニア：
●PVT・CVD・MBE・LPEのいずれかの方法でエピタキシャル薄膜成長の開発および量産経験
●6インチ以上の大口径エピウエハーの開発および量産経験
●エピウエハーの評価方法を理解していること
●結晶成長基礎理論を理解していること
●XRDやラーマン等の結晶評価法を理解していること
●結晶成長装置に関して基礎的な知識を有していること
- 歓迎
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＜必須ではありません。以下のようなご経験があれば尚可です。＞
(1)インゴット結晶成長技術開発エキスパート：
●SiC単結晶インゴット等に関わる経験
(2)エピタキシャル膜結晶成長技術開発エンジニア：
●SiCのエピタキシャル薄膜の成長経験
●SiC単結晶インゴット等に関わる経験
- フィットする人物像
- 結晶成長技術に関わる知見や実績を豊富に持ちつつ、同社の技術力向上に向け、さらなる研究開発に邁進していただける方にフィットしたポジションになります。
- 雇用形態
- 正社員
- ポジション・役割
- 結晶成長技術開発エンジニア
- 勤務地
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＜以下への通勤がネックになる場合は、現在のお住まいと勤務地近郊での二重生活を行っていただくことも可能です。その場合は、そこに係る通勤交通費や宿泊費などをプラスした年収をお出しいたしますのでご安心ください。＞
千葉県船橋市鈴身町
【最寄り駅】
北総線「小室駅」より無料送迎バス
※屋内禁煙になります。
- 勤務時間
- 9：00～18：00（実働8時間）
- 年収・給与
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年収1,000～2,000万円
※年収の上限額は決まっておりませんのでこれまでのご実績等を元に決定いたします。
※年収には、賞与（年1回以上）も含まれます。
※昇給は、業績に応じて年1回以上となります。
【年収に関するPOINT】
●同社の特徴として、基本的に前職の年収をベースに平均20～40％年収がUPするケースがほとんどとなります。
●これまでの平均年収は1,800～2,000万、最高額で3,300万の方もいらっしゃいます。
- 待遇・福利厚生
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【保険】
健康保険、厚生年金保険、雇用保険、労災保険
【福利厚生】
通勤手当、退職金制度、医療保険制度
- 休日休暇
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週休2日制（土曜日・日曜日）、祝日、年末年始休暇、夏季休暇、有給休暇、育児休暇、慶弔休暇
※有給休暇は試用期間後付与となります。
※年間休日数は123日となります。
- 選考プロセス
- 書類選考→1次面接（部門）→2次面接（役員）→最終面接（人事面接）→内定
- キャリアパス・評価制度
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【キャリアパス】
毎年2兆円の研究開発投資をしているため、「実現したいこと」に挑戦をするチャンスが大いにあります。
【評価関連】
成果次第で入社から3ヶ月で年収30％UPをした実績があります。
