【世界的有名企業】5ポジションより選択可能！パワーデバイス分野における研究開発の転職・求人情報 17753381

募集要項

募集背景: 世界人口の3分の1の通信環境をサポートしている世界的に有名な通信企業様の日本法人様になります。その中でパワーデバイス分野における各種研究開発を行っていただけるエキスパートな方々を増員募集いたします。今回はパワーデバイス分野だけで5ポジションありますのでご自身のキャリアやご希望を踏まえてご選択可能となります。同社ではパワーデバイス分野の研究開発に大変力を入れておりますのでご一緒に技術力向上にお力添えいただける方からのご応募をお待ちしております。

【募集ポジションについて】
(1)チーフサイエンティスト　
(2)デザインエキスパート　
(3)プロセスエキスパート　
(4)材料エキスパート　
(5)デザインシニアエンジニア

仕事内容: 「パワーデバイス分野のエキスパート」として、技術的競争力のキープや継続的なビジネスの成功を推進していただくことを大きなMissionとしております。
パワーデバイス分野のエキスパートとして、各ポジションに分かれ研究開発を推進していただきます。

(1)チーフサイエンティスト
＜業務内容＞
●技術的競争力向上の第一責任者として、SiC/GaN/IGBTの技術力構築・チームビルディングの実施
●先端技術の初期研究・技術的レイアウトを主導し、中国本部と連携の上、技術ロードマップの制定
●日本国内の両行なパワーデバイスのエコシステムと学術界の構築ならびに優位性のあるパートナーリソースに基づいた技術協力・技術的構築の実施
●製品の技術的競争力の業界トップクラスを目指すためチームマネジメント実施

(2)デザインエキスパート
＜業務内容＞
●技術合点の動向を洞察し、新技術の評価導入や技術的ブレークスルー・製品実現、コア特許のパテントポートフォリオ作成
●SiC/GaN/IGBTのデザインモデリング・回路応用技術の研究・技術開発
●デバイスの信頼性・故障解析、プロセスチームと協力の上、デバイスプロセスの最適化を実施
●デザイン開発フロー構築・最適化
●高品質・高効率、準拠可能な先進パワーデバイス開発プラットフォームの構築ができるようにチームマネジメントを実施

(3)プロセスエキスパート
＜業務内容＞
●SiC/GaN/IGBTのプロセス研究開発・導入の実施
●プロセス開発フローの制定
●潜在的なプロセス・材料のリスクを特定の上、ソリューション提案
●デザインチームと協力の上、デバイス構造の設計要件に基づき、プロセスのリスク・実現可能性評価をし、プロセスと材料の視点からデバイス性能の最適化プランを提案
●デバイスの性能要求に基づき、装置・材料に応じたプロセス装置の最適化や解像。個別プロセスの最適化実施

(4)材料エキスパート
＜業務内容＞
●SiC/GaN/IGBTの材料エピタキシャル成長と特性テストの実施
●プロセス・デザインチームと協力の上、性能の最適化・品質向上、材料の視点からデバイス性能向上の推進
●先進的なエピタキシャル技術と構造開発・高性能パワーデバイス製品の開発サポート実施

(5)デザインシニアエンジニア
＜業務内容＞
●SiC/GaN/IGBTのデザイン開発・テスト検証の実施
●プロセスチームと協力の上、デバイス加工・プロセス最適化の実施
●SiC/GaN/IGBTの個別技術フォローアップをし、既存デバイスの性能向上、パテントポートフォリオの提案

応募資格

必須: (1)チーフサイエンティスト
●半導体/電子/物理/材料などの関連分野を専攻し、最低10年以上のパワーデバイス分野（SiC/GaN/IGBT）における研究開発経験・技術マネジメント経験を有すること
●これまで技術研究・開発をした製品が業界トップクラスのレベルを有すること

(2)デザインエキスパート　
●半導体/電子/物理/材料などの関連分野を専攻し、最低8年以上のパワーデバイス分野（SiC/GaN/IGBT）における研究開発経験を有すること
●直近5年間はパワーデバイスのデザイン開発に従事していること
●パワー半導体デバイスの原理に基づき、1つまたは複数のプロセスプラットフォームのモデルパラメータ化・構造デザインの完成、デバイスの信頼性分析と特性テスト方法に精通していること

(3)プロセスエキスパート　
●半導体/電子/物理/材料などの関連分野を専攻し、最低10年以上の半導体プロセス開発経験を有すること
●直近5年間はパワーデバイスプロセス開発に従事していること
●プロセス開発フローにおいて最低1つのコアプロセス知識（薄膜成長/フォトリングラティ/エッチング/イオン注入/オーミックコンタクト等）に精通していること
●問題点やポイントに基づき、パワーデバイスの故障減少に対してのプロセス分析実施～解決策の提案ができること
●パワーデバイスの装置開発・解像・最適化知識を有し、デバイス性能や量産要件に基づき、設備評価や最適化・構造ができること

(4)材料エキスパート　
●半導体/電子/物理/材料などの関連分野を専攻し、最低5年以上の半導体デバイスびエピタキシャル成長・特性テスト経験を有すること

(5)デザインシニアエンジニア
●半導体/電子/物理/材料などの関連分野を専攻し、最低5年以上のパワーデバイスのデザイン開発経験を有すること
●直近3年間は関連デザイン開発に従事していること、または博士課程の新卒の方

歓迎: ＜すべてのポジションに共通する＋αの条件＞
●異なる地域や文化背景のチームとコミュニケーションの遂行が可能なこと

フィットする人物像: すべてのポジションにおいてパワーデバイス分野におけるエキスパート、プロフェッショナルであることはもちろんのこと、日本国内だけでなく中国拠点のメンバーや他さまざまな国籍のメンバーと共にプロジェクトを遂行していく必要があるため、地域や文化の違いをきちんと理解の上、グローバルな視点で同社の技術力向上そして、業界リードを図れるように率先して動いていただくことが可能な方にフィットしたポジションになります。

雇用形態: 正社員

ポジション・役割: パワーデバイスエキスパート（5ポジションあり）

勤務地: 以下、3つの拠点よりご選択可能です。

(1)神奈川県横浜市神奈川区
＜最寄り駅＞
●各線「横浜駅」より徒歩5分
●京浜急行電鉄「神奈川駅」より徒歩5分

(2)東京都品川区港南
＜最寄駅＞
各線　品川駅より徒歩5分

(3)大阪府大阪市北区
＜最寄り駅＞
●京阪中之島線　「渡辺橋駅」より徒歩1分
●地下鉄四つ橋線　「肥後橋駅」より徒歩4分

勤務時間: 9：00～18：00（実働8時間）

年収・給与: 年収1,000～2,000万円
※年収の上限額は決まっておりませんのでこれまでのご実績等を元に決定いたします。
※年収には、賞与（年1回以上）も含まれます。
※昇給は、業績に応じて年1回以上となります。

【年収に関するPOINT】
●同社の特徴として、基本的に前職の年収をベースに平均20～40％年収がUPするケースがほとんどとなります。
●これまでの平均年収は1,800～2,000万、最高額で3,300万の方もいらっしゃいます。

待遇・福利厚生: 【保険】
健康保険、厚生年金保険、雇用保険、労災保険
【福利厚生】
通勤手当、退職金制度、医療保険制度

休日休暇: 週休2日制（土曜日・日曜日）、祝日、年末年始休暇、夏季休暇、有給休暇、育児休暇、慶弔休暇
※有給休暇は試用期間後付与となります。
※年間休日数は123日となります。

選考プロセス: 書類選考→1次面接（部門）→2次面接（役員）→最終面接（人事面接）→内定

キャリアパス・評価制度: 【キャリアパス】
毎年2兆円の研究開発投資をしているため、「実現したいこと」に挑戦をするチャンスが大いにあります。
【評価関連】
成果次第で入社から3ヶ月で年収30％UPをした実績があります。

会社概要

社名: 非公開

事業内容・会社の特長: 通信事業者向けネットワーク事業、法人向けICTソリューション事業、コンシューマー向け端末事業の3つの事業分野を柱とし、日本市場の顧客のニーズに応える幅広い製品やサービスを提供している企業

設立: 2005年

資本金: 4,564百万円

売上高: 11,647,400百万円

従業員数: 1,050名

入社実績

Mさん（50歳 / 男性): 上席主席研究員　※年収：3,300万円

【世界的有名企業】5ポジションより選択可能！パワーデバイス分野における研究開発 の転職・求人情報はすでに掲載終了しております。（掲載期間5月10日～5月23日）

【世界的有名企業】5ポジションより選択可能！パワーデバイス分野における研究開発

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会社概要

【世界的有名企業】5ポジションより選択可能！パワーデバイス分野における研究開発
の転職・求人情報はすでに掲載終了しております。（掲載期間5月10日～5月23日）