設計・開発エンジニア(その他、機械・メカトロ・自動車)
上場大手半導体メーカーにおける超高性能パワーMOSデバイス・プロセス開発
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上場大手半導体メーカーにおける超高性能パワーMOSデバイス・プロセス開発
の転職・求人情報はすでに掲載終了しております。(掲載期間1月28日~2月22日)

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掲載時の募集要項掲載期間:2022/01/28 ~ 2022/02/22)
設計・開発エンジニア(その他、機械・メカトロ・自動車)

上場大手半導体メーカーにおける超高性能パワーMOSデバイス・プロセス開発

大手企業 英語力が必要

募集要項

募集背景
非公開
仕事内容
グローバル電子部品メーカー
パワーMOSデバイス・プロセス開発をリード

・構想検討から量産技術確立までのウェハプロセス開発エンジニア
・デバイス構造設計やプロセスフロー構築
・構想検討から量産技術確立までのウェハプロセス開発プロジェクトマネジメント
・デバイス構造設計やプロセスフロー構築に関する指揮・指導
・要素プロセス技術(ウエハプロセス、裏面プロセス)、製品設計、品質保証など 
 多部門との連携、交渉
応募資格
必須
Must:

・パワーデバイス開発のプロジェクトマネジメント経験 2年以上
・パワーMOSのデバイス構造設計やプロセス開発経験 5年以上
・200mmまたは300mmウェハプロセス開発経験 3年以上

Want:

・パワー実装技術に関する知識
・パワーシステムに関する知識

英語:ビジネス会話ができる (TOEIC 700点程度)

日本語:ビジネス会話ができる
歓迎
応募資格をご参照ください。
募集年齢(年齢制限理由)
25歳~39歳 (特定年齢層の特定職種の労働者が相当程度少ないため)
フィットする人物像
応募資格をご参照ください。
雇用形態
正社員
ポジション・役割
担当者~
勤務地
茨城県
勤務時間
同社就業規定に準じます
年収・給与
年収想定:800万円~1000万円(月給41万~)

会社概要

社名
非公開
事業内容・会社の特長
グローバル電子部品メーカー
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Q.
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A.
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