募集要項
- 仕事内容
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プロセスまたはデバイスエンジニアとして、新規プロセスの開発業務に携わって頂きます。
・MOSFET/IGBT/Diode/LSIのプロセスインテグレーション開発
・歩留り、品質改善
- 応募資格
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- 必須
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※下記、いずれかのご経験があり、長期勤務できる方。
・半導体プロセスまたはデバイスエンジニアの業務経験
・半導体要素技術の実務経験
・MOSFET/IGBT/Diode等のパワーデバイス開発経験
- 募集年齢(年齢制限理由)
- 28-45 (長期勤続によりキャリア形成を図るため)
- 雇用形態
- 正社員試用期間:6か月間 ※待遇等変化なし 契約期間:期間の定めなし
- 勤務地
- 滋賀県
- 勤務時間
- 8:15 ~ 17:15 (8時間 1時間休憩)
- 年収・給与
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400万円~850万円
※経験/年齢/能力等を考慮の上、当社規定により決定します。
- 待遇・福利厚生
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【保険】健康保険、厚生年金、雇用保険、労災保険
【諸手当】住宅、家族、残業、交通費(上限40,000円まで)
【待遇・福利厚生】
財形貯蓄制度、持株会制度、社長賞(研究開発
- 休日休暇
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週休2日制(土日)、祝日、夏期休暇、年末年始
その他休暇
年次有給/慶弔/産前産後/育児休暇/介護休暇
- 選考プロセス
- 書類選考→一次面接→最終面接