掲載期間:26/04/24~26/05/07
- 仕事内容
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中国の揚州に本社を置く半導体メーカー(IDM)の日本支社で、IGBTデバイスの開発・設計業務をお任せします。 配属先となる日本支社 開発センターは少数精鋭チームのため、各人が大きな裁量をもって働けます。【具体的には】 ●外部Fabを活用したIGBTチップ開発 ●TCADを用いたデバイス/プロセス設計 ●構造検討・レイアウト設計…
- 応募資格
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- 必須
- ●IGBTデバイス設計経験(デバイスエンジニア) ●Trench MOSまたはIG…
- 歓迎
- ●IGBT開発経験 ●パワーデバイス応用技術の知見 ●プロセスインテグレーション経験…
- 勤務地
- 東京都 / 愛知県 / 大阪府
- 年収 / 給与
- 700万円~1299万円
- 会社概要
- ディスクリート・デバイス・チップ、電力ダイオード及びブリッジ整流器等を含む半導体…
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