募集要項
- 募集背景
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半導体レーザーは、1970年ベル研でのダブルヘテロジャンクションによる室温連続発振の開発に端を発し、光通信や光記録分野での応用が続いております。
まず、レーザー光の素晴らしい特性であるコヒーレンス、モード、高速変調等を利用した応用が展開され、そして1990年代に入りその高出力化に向けた開発が進み、現在ではビーム品質の向上と相まって、水冷では連続発振で数KW、パルス発振で数MWが開発され、医療等に応用されております。
また、高輝度と高信頼性の開発も進み、現在技術革新とグローバルな成長の著しい自動車への搭載が開始されております。
ヘッドライトは、ハロゲンランプ、高輝度放電ランプ(HIDランプ)そしてHIDランプの消費電力が半分のLEDへと進み、今、制御性という特性を持つレーザーの活用が進み、一部で実用化が開始されております。
- 仕事内容
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高出力用半導体レーザーを対象とし、そのプロセス開発を中心に、特定用途別な製品化に至る全体デバイスまでの研究開発業務です。
GaAs、InP、GaN、AlN等の3-5化合物半導体とその混晶半導体は、バンドギャップを正確にコントロールする事で、赤から青紫、紫に至る可視光や紫外線の発光を可能とし、多くの産業用途に応用されております。
そしてそのエピタキシー技術により、ヘテロジャンクション構造を可能とし、更にそのダブルヘテロ構造での誘導放出による増幅された光は、その端面による共振器によりレーザー(LASER: Light Amplification by Stimulated Emission of Radiation )光に変わり、その素晴らしい諸特性を持つレーザー光は多くの学術や産業用途に使用されております。
特に、最近の開発目標は、高出力・高輝とそのための高信頼性です。
30mmの鋼鉄をも切断するファイバーレザーは、いくつかの半導体レーザーによるレーザー光をファイバー内で増幅させるため純粋な半導体レーザーでは有りませんが、高出力半導体レーザーは現在、1分間に8千個を超えるガラスエポキシ基板上穴開け等に使用されております。
これらと並んで、光学的に輝度やコヒーレンス等を利用した車載用が注目を集め、その応用時におけるとりわけ高輝度とそれによる発熱そして信頼性の問題の対応に課題が集まり、各社そのブレークスルーに向けて、高効率のための結晶性や量子井戸構造等について学術的な研究開発を続けております。
そして、その技術開発が中心ですが、その特性を知悉した技術者による新市場開拓もウェルカムとの事です。
具体的には下記のような業務となります。
(1)結晶成長関連技術開発:MOCVD結晶成長・結晶評価解析(X線、フォトルミネッセンス、カソードルミネッセンス等)
(2)プロセス関連技術開発:構造設計及びマスク設計技術・パターニング技術(フォトリソプロセスからドライ・ウェットエッチングまで)・成膜技術(光学多層膜形成技術含む)・素子分離/端面加工・素子実装・パッケージング技術
(3)評価関連技術開発:レーザー特性評価・破壊モード解析技術・導波路構造設計・利得シミュレーション技術・波動光学設計・素子内熱設計
(4)その他:テクニカルマーケティング他
- 応募資格
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- 必須
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【必須】
■InGaAsP、AlGaInP、GaN系のいずれかの化合物半導体レーザーのデバイス研究・開発経験(5年以上)
■年齢:不問
■学歴:大学卒以上
【歓迎】
■結晶成長からプロセス更に評価/シミュレーションまで、化合物半導体レーザーに広く携わった経験
■GaN系材料を用いたプロセス開発経験
■新規ビジネスに向けた、粘り強くかつ柔軟に取り組める方
- 歓迎
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■III-V化合物半導体とその混晶を中心とした、化合物半導体レーザーの開発経験
■高出力用高信頼性に向けた結晶成長や解析手法に長けた方
■商品化に向け、そのデバイス開発全般の開発経験
- フィットする人物像
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■化合物半導体レーザーの研究開発経験
■今回の研究開発に生かされる経験・能力
- 雇用形態
- 正社員
- 勤務地
- 神奈川県横浜市(※転勤無)
- 勤務時間
- 8:30~17:30 休憩 60分
- 年収・給与
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500円~900万円 (社宅、住宅手当等手厚い福利厚生、また能力・経験により更に厚遇。)
昇給年1回、賞与年2回
- 待遇・福利厚生
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健康保険 厚生年金 雇用保険 労災保険 通勤手当 住宅手当 家族手当 時間外手当 資格手当
定年60歳(再雇用有) 退職金有
- 休日休暇
- 完全週休2日制 GW 産前産後・育児 年末年始 夏期休暇 有給休暇