募集要項
- 仕事内容
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・メモリアーキテクチャー設計(SRAM, DRAM, MRAM, RRAM, PCRAM, eFlash)
・メモリ読み書き関連の設計及び分析
・センシング、アナログ、高電圧、DFT関連の設計
・チップレベルの設計検証
・不揮発性メモリの組込みコンパイラーおよび製品化
- 応募資格
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- 必須
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・SRAMもしくは不揮発性メモリ(RRAM、MRAM、PCRAM、FeRAMなどを含む)の設計開発3年以上で最新技術に精通している事。
※SRAM:ビットセル特性、センスアンプ設計、高シグマ変動解析、マージンサインオフ、高速およびVmin設計に関する知識があれば尚可。
※不揮発性メモリ:eFlashの知識は必要
- 雇用形態
- 正社員
- 勤務地
- 神奈川県
- 年収・給与
- ~ 800万円程度