募集要項
- 仕事内容
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世の中にないNo1で世界初の半導体レーザを実現するため、
結晶成長技術の開発、もしくは面発光レーザのウェーハプロセス技術開発、デバイス評価、設計に関する業務など。
開発エンジニアとして、他のチームメンバーと議論しながら開発を進めるとともに、事業部や事業所等、多くの関連部署と連携してデバイス開発を推進する。
- 応募資格
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- 必須
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■必須：
半導体レーザの開発経験と半導体レーザの基礎知識。
■必須：
英語の論文が読めるレベル
- 歓迎
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■尚可：
MOCVDを用いた結晶成長の経験。もしくは窒化物半導体を用いたレーザの開発経験。
■尚可：
国際学会で発表、議論が出来るレベル■必須：
英語の論文が読めるレベル
- 募集年齢(年齢制限理由)
- ～35歳まで （特定年齢層の特定職種の労働者が相当程度少ないため）
- フィットする人物像
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■必須：
半導体レーザの基礎知識があり、これまでに開発経験がある方。
■尚可：
チームで円滑なコミュニケーションができること。
- 雇用形態
- 正社員
- 勤務地
- 神奈川県
- 勤務時間
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勤務時間は7時間45分 (標準労働時間帯 9:00～17:30)
コアタイム 9:30～15:30として出勤退勤時間を選択できる月間フレックスタイム制あり
- 年収・給与
- 600万円 ～ 799万円
- 待遇・福利厚生
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社会保険完備 (健康・厚生年金・雇用・労災)、財形貯蓄制度、社員持株会、独身寮など
自分のライフスタイルにあった福利厚生を、数多くのプログラムの中から自分の意思で選択することが可能です。
- 休日休暇
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完全週休2日制 (土・日)、フレックスホリデー (個人が設定できる連続休暇制度)、年末年始休暇、会社休日 (年間125日/2017年） 、年次有給休暇 (初年度17日、最大24日)
年間休暇平均取得日数 平均20日
