プロジェクトマネージャー(制御・組み込み系)
混載不揮発性メモリ(フラッシュメモリ)設計者
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混載不揮発性メモリ(フラッシュメモリ)設計者
の転職・求人情報はすでに掲載終了しております。(掲載期間4月27日~5月10日)

※ 掲載時の募集要項はページ下部よりご確認いただけます。
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掲載時の募集要項掲載期間:2016/04/27 ~ 2016/05/10)
プロジェクトマネージャー(制御・組み込み系)

混載不揮発性メモリ(フラッシュメモリ)設計者

ルネサスエレクトロニクス株式会社
上場企業 大手企業 海外出張 海外折衝 英語力が必要 土日祝休み

募集要項

募集背景
増員による募集
仕事内容
混載不揮発性メモリ(フラッシュメモリ)設計者
 <具体的には>
  ・次世代マイコン混載用不揮発性メモリ(車載向け28nmFMONOS)の開発業務
  ・不揮発性メモリの設計において、要求仕様に基づき適切な回路仕様
  ・回路の実装および検証する業務。
応募資格
必須
【応募資格】
  ・不揮発性メモリの設計経験(汎用、混載不問)のある方(必須)
  ・回路図(Schematic)ベースでの設計経験のある方(必須)
歓迎
・英語 / 日本語双方での口頭 / 書面でのコミュニケーションスキルのある方尚可
  ・評価業務経験のある方尚可
・RTL設計経験のある方尚可

雇用形態
正社員
ポジション・役割
ご経験、キャリアにより決定
勤務地
東京都小平市上水本町5-20-1
*各線の国分寺駅よりバスで約5分(西武バス:小平駅南口行き、ルネサス武蔵下車)
年収・給与
応相談。目安600~1000万円くらい
待遇・福利厚生
大手上場企業と同等

会社概要

社名
ルネサスエレクトロニクス株式会社
事業内容・会社の特長
マイコン、システムLSI、半導体の3つのソリューションで高い市場シェアをもつ企業
設立
2002年
資本金
100億円
売上高
約8000億円(連結ベース)
従業員数
2万1千人
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また、より良い待遇条件で転職が決まるように条件面での交渉をしてもらえます。
ルネサスエレクトロニクス株式会社の転職・求人情報 5669278。混載不揮発性メモリ(フラッシュメモリ)設計者。プロのコンサルタントがサポートする日本最大級のキャリア転職情報サイト。年収800万円以上の高年収、管理職、スペシャリストの求人、非公開求人スカウトも多数。