設計・開発エンジニア(半導体)
次世代フラッシュメモリー他不揮発性メモリー、デバイス開発
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次世代フラッシュメモリー他不揮発性メモリー、デバイス開発
の転職・求人情報はすでに掲載終了しております。(掲載期間1月19日~2月8日)

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掲載時の募集要項掲載期間:2016/01/19 ~ 2016/02/08)
設計・開発エンジニア(半導体)

次世代フラッシュメモリー他不揮発性メモリー、デバイス開発

外資系企業 海外展開あり(日系グローバル企業) マネジメント業務なし 英語力が必要 転勤なし 土日祝休み

募集要項

募集背景
大容量不揮発性メモリーとしてのフラッシュメモリー。現在、その幾多の世代毎に開発・改良を積重ねての成熟により、高性能・高信頼性・ビット単価の大幅な低下をもたらし、民生・産業用途に不可欠な主力メモリーデバイス。
10nm台プロセスに入った今、トランジスター特性のバラツキやそのリーク電流の増加と言った難易度の高まった”プリミティブ”な問題の壁に対峙し、マスク枚数や工程数が増加といったその対応により製造コストの上昇でその微細化技術の限界も事実です。
更に市場では、プロセッサーの処理能力向上と画像等データ量の拡大(ビッグデータ等)による転送速度の高性能化の要求も強まり、ポストフラッシュメモリーの待望を強めております。
一方、フラッシュメモリーは20数年にわたり多面的に開発を繰り返えされ、次世代開発へのその手法を多く持ち合わせており新技術開発における完成度が高い事も事実で、2020年頃までは確実にこの延長線上に開発は進むと言われております。

同社も、上記の状況下に対し、現在次世代のフラッシュメモリーとポストフラッシュメモリーの”二兎を追う”戦略を推進し、そのデバイス開発業務です。
仕事内容
業務と致しましては、フラッシュメモリー他次世代不揮発性メモリーのデバイス開発業務です。

ここで言うフラッシュメモリーは、MOS型トランジスターのフローティングゲートにトンネリングされた電子の電荷の有無による閾値電圧の違いによる不揮発性メモリーです。
他のポストフラッシュメモリーもトランジスターの閾値電圧の違いやトランジスターのオン抵抗値を変えるための各種の方式が有り、書き込み速度の違いや製造プロセスの容易性等の理由で各社各様な開発が進められております。
同社のポストフラッシュメモリーの開発は進められておるものの、製品化、量産化はベールの中です。

3次元構造フラッシュメモリーの共同開発を進めており、何層であるか不明ですが2016年完成の最長ラインが600m近い最新鋭の製造棟で、量産開始を目指しています。
開発品として16層が発表されておりますが、その技術により2019年までに1Tビット製品の量産化を目指すアナウスされておりますが、現実的にはプレーナ型に優位性を持つのは48層以上といわれており、現在それに向かって開発中で、その量産は間違いなく2020年以降のようです。

2014年現在、3次元構造が24層ないし32層の開発のメドを付けたとも報道されるなか、14年春からの最先端15nmプロセスによるプレーナ型に依然コスト的優位性があり、この15nmプロセス製品は14年夏完成の製造棟で速やかに量産開始され、生産能力を高めた中で現在市場出荷中です。
それは、19nmより3割チップシュリンクし、書き込み速度は同じですが、データ転送速度は1.3倍高速となり、現在2ビット多値で128Gビット製品で、14年末までには3ビット多値製品の出荷が計画されております。

なお、今回の業務は、次世代フラッシュメモリーと他の次世代不揮発性メモリーを試作研究用設計(デザイン)、プロセス、検査・評価までのツールや装置と設備を有する研究所内での業務です。
具体的には、
・10nm台フラッシュメモリーのデザイン・プロセス・検査等を考慮した次世代デバイス開発
・3次元構造によるフラッシュメモリー、ポストフラッシュメモリーの次世代デバイス開発
・米国のR&D他やデザイン部門と連携した一連の業務
・パートナー会社との技術的な共同開発関連業務
との事です。
応募資格
必須
・半導体メーカーまたは半導体装置メーカーにおける、デバイス開発経験(できたら3年以上、20代の方は基礎力重視)
・基礎的な英語力(応募時に英文レジュメ必須)
・大学卒以上(理工系)
・製品を問わず、特にプロセス・デバイスシミュレーションによりプロファイル設計経験(優遇)
・メモリプロセス/デバイス(フラッシュ、EEPROM、DRAM、SRAM)に関する深い知識と経験(優遇)
※デバイス開発とは、デバイス信頼性、デバイス歩留、プロセス条件出、デバイスシミュレーション、TEG評価等の業務です。
※外国籍の場合は日本語能力必須(文部省日本語検定2級以上)
歓迎
・半導体デバイス(できたら45nmプロセス以降)の、信頼性や歩留等課題対応のデバイス開発経験
・半導体メモリー設計経験とデバイスシミュレーション経験
募集年齢(年齢制限理由)
・39歳位まで (長期勤続によりキャリア形成を図るため)
フィットする人物像
・年齢との関連による、半導体デバイスにおけるデバイス開発経験、半導体物性の知識・経験
・業務上最低限の英語力(英語力は他の能力以上に年齢により要求度高まります)
雇用形態
正社員
勤務地
神奈川県横浜市(※転勤無し)
勤務時間
標準時間9:00~17:30、フレックス制有り
年収・給与
500万円~1100万円(※経験・スキルを考慮のうえ決定します。)
昇給年1回、賞与年1回
待遇・福利厚生
健康保険 厚生年金 雇用保険 労災保険 通勤手当 残業手当 定年63歳 退職金無し 
【福利厚生】ストックオプション、社員割引、自社株購入
休日休暇
完全週休2日(土・日) 祝日 育児・介護休暇 年末年始 夏期休暇 有給休暇

会社概要

社名
非公開
事業内容・会社の特長
【電子部品の開発・製造・販売】外資
SDカード等の不揮発性メモリによるコンシューマー用記録媒体で世界シェアがトップの会社です。
特徴と致しましては、米国の本社はR&Dと試作及び量産品のメモリ基本部の設計、マーケティングに特化し、先端技術とその特許戦略(プロパテント)を全面的に打ち出し、各地域の特殊性を考慮した効果的なグローバルな事業展開をしております。

とりわけR&Dに関しましては、MRAMやReRAM等次世代不揮発性メモリはもちろん、次世代メモリセルの3次元構造からTSVによる3次元実装まで、社内では特許も含むその開発も進んでいるとの事です。
ですが、2010年代は少なくともNAND型フラッシュメモリの優位は揺るぎなく、その微細化ととりわけ3次元化による開発は進んでおり、2016年初頭に量産を目指した16層前後のメモリセル及び3ビット多値構成のチップの量産工場を2014年後半に着手予定で、これにより現在量産中の128Gb(ギガビット)チップは、完全なテラビット級となるとの事です。そして、このフラッシュメモリによるSSDは、各業界に現在要望の強いピックデータ処理に応用され、HDDの代替が確実に進むとの事です。
2014年春発売がアナウスされた同社の4TB(テラバイト)の大容量SSDはシーク時間等の関係でHDDに比べデータ転送速度は最大50倍と高速化との事です。
同社は今、この新規事業に向けた事業開拓を最優先課題に取り組み、新規市場での製品拡大と産業用途のためその収益の更なる底上げを企図した新事業展開を進めております。

現在のフラッシュメモリ事業は、日本でその中核部品である半導体のデバイスを日本企業と密なるアライアンスのもとに開発から量産を、また他のアジア圏では後工程を主としたデバイス、モジュールそして最終製品へとその業務を分担し、全世界で販売致しております。

設立
1992年8月
資本金
95億1千万円
従業員数
440人
入社実績
Mさん(34歳 / 男性)
デバイスエンジニア
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