募集要項
- 募集背景
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市場の拡大が続くNAND型フラッシュメモリー応用製品。
他のコンシューマー製品との違いは、イノベーションが続いている事だと思います。その要因は、このメモリーが依然スケーリング則にのっての技術革新が続き、それにより性能・コストの両立がなされ、新たな市場の開拓がなされているという好循環な状況にあるためと思います。
この未だ成熟が見えず成長が続く半導体メモリーの更なる発展を牽引するための、そのキーテクノロジーとしての個別プロセス開発、その技術者の求人です。
- 仕事内容
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NAND型フラッシュメモリーの、前工程に関わる最先端プロセス(10nm台前半)の開発業務です。
2011年、ついに19nmプロセス技術の量産工程への導入が開始し、10nm台プロセスへ突入致しました。
このプロセスでの、露光(リソグラフィー)、成膜、エッチング、不純物拡散、金属(Cu等)配線、CMPから検査・評価用メトロロジーまでの前工程最先端プロセスのいくつかに関わる業務です。とりわけ露光技術に関しては、光源がArFのエキシマレーザーによる液浸ステッパーによるダブルパターニングとの事です。10nm台の後半まではArF光源で、10nm台の前半からEUV光への移行のようです。
新技術としてのHigh-k用ハフニウムの採用、トランジスタ高性能化のためのチャネル領域におけるひずみシリコンやシリコンゲルマニウムの採用等も一筋縄ではいかないようです。 2010年導入された20nm台プロセスは完全に量産が立ち上がり、更に新プロセスへの移行を早急に進めております。
このプロジェクトを完結させ、次なる次世代プロセスのいくつかの要素技術の開発が現在喫緊の最重要課題との事です。
- 応募資格
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- 必須
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・フラッシュメモリー(NAND型またはNOR型の)またはDRAMのプロセス開発経験
・大卒以上
・英語力ある方(歓迎)
・パートナー企業との共同開発もあり、共同開発経験(歓迎)
- 歓迎
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・NOR型フラッシュメモリーやDRAM他の半導体メモリープロセス開発技術
・光や電子線による検査・評価技術
- 募集年齢(年齢制限理由)
- 49歳位まで （長期勤続によりキャリア形成を図るため）
- フィットする人物像
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下記の二つが必要との事です。
一つは技術的に”限界”に近く微細化が進む中で、その困難な課題に果敢に挑む事の出来る楽観的でポジティブマインドの方。
もう一つは、パートナー会社及び米国本社の技術者と協調した形で業務が進められるオープンマインドの方。
- 雇用形態
- 正社員
- 勤務地
- 三重県四日市市（※転勤無し）
- 勤務時間
- 標準時間9:00～17:30、フレックス制有り
- 年収・給与
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～1200万円（※経験・スキルを考慮のうえ決定します。）
昇給年1回、賞与年１回
- 待遇・福利厚生
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健康保険 厚生年金 雇用保険 労災保険 通勤手当 残業手当 定年63歳 退職金無し
【福利厚生】ストックオプション、社員割引、自社株購入
- 休日休暇
- 完全週休2日（土・日） 祝日 育児・介護休暇 年末年始 夏期休暇 有給休暇
