募集要項
- 募集背景
- 非公開情報も含むため、詳しくは求人紹介時に担当コンサルタントよりご案内いたします。
- 仕事内容
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株式会社ニューフレアテクノロジーでの募集です。■■Position ご参考■■
商品企画・商品開発（技術系）のご経験のある方は歓迎です。
ニューフレアテクノロジー社へご興味お持ち頂けるのであれば、お電話にて口頭でポジションについてご説明をさせて頂きます。
■エピタキシャル半導体製造装置（TFW装置：EPIREVO）
【C 3‐1】半導体成膜装置の成膜プロセス（レシピ）開発
【業務内容】
〇エピタキシャル成長製造装置開発の成膜のプロセス開発を行っていただきます。
・シリコン、GaN、SiC膜の成膜方法（レシピ）の開発と測定機による評価
・装置の開発、客先でのデモンストレーション、メンテナンス、トラブル対応
・プロセスに関する客先でのプロセス仕様打合せ、装置立上、客先でのプロセス支援
※海外顧客の場合海外出張いただき、顧客先でレシピの調整を行います
〇エピタキシャル成長製造装置の特徴
（１）ウェーハの高速回転による高速かつ均一性の高い成膜
（２）緻密に設計された垂直方向のガスフローによる均一なガス濃度分布
（３）高精度な面状ヒーターに非接触で配置することで高い温度均一性と高速昇降温特性
上記コア技術が実現することで高品質エピタキシャル成長層の形成を可能としております。
プロセス担当はこれらコア技術が顧客要望通り実現しているかを測定器などを使用して検証し、
エラーの原因はレシピなのかハードなどかを突き詰め改善を行っていきます。
【業務で使用するツール】
・プロセス
測定機操作 （SEM、欠陥検査、膜厚、XRD等）
【入社後お任せしたい業務】
・プロセス
上記業務内容を先輩社員がOJTでついて教育を行いながら、
デモ機をもとに装置の扱い方やレシピの開発・調整方法をキャッチアップいただきます。
【製品・当社の強み】
・電気自動車で使用される充電器や、通信技術の5G、6Gなどの基地局は
エピタキシャル装置で製造されるパワー半導体がなければ急速充電あるいは高速通信が
できないため注目されております。
・またパワー半導体は省エネの部分においても、脱炭素推進が可能なものとして
注目をされております。
・また…
- 応募資格
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- 必須
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【MUST】
・国内外への長期出張が可能な方。
・エピ成膜に興味がある方。
【WANT】
・半導体の製造等において何らかの成膜経験がある方。
・半導体製造装置（CVD装置）を使用した成膜経験がある方。
・半導体製造装置（CVD装置）で使用されるガスや、真空装置の取り扱い経験がある方。
・英語でのコミュニケーションが可能な方。
- フィットする人物像
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JAC Recruitmentでは、担当コンサルタントが直接企業へ訪問。だからお伝えできることがあります。
面談の際に、採用担当者からお聞きした情報やコンサルタント自身が感じた選考のポイントを皆さまへお届けします。
- 雇用形態
- 無期雇用
- ポジション・役割
- 非管理職
- 勤務地
- 神奈川県
- 勤務時間
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【就業時間】08:45 ～ 17:30
【労働時間制等】通常の労働時間制
- 年収・給与
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【年収】600万円 - 1500万円
- 待遇・福利厚生
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【通勤手当】全額支給
【社会保険】健康保険
厚生年金
雇用保険
労災保険
【その他手当】役職手当
- 休日休暇
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【有給休暇】有給休暇は入社時から付与されます
入社7ヶ月目には最低10日以上
【休日】完全週休二日制
土
日
祝日
夏季休暇
年末年始
年間休日125日（2021年度）他全社一斉休暇5日有り
※年次有給休暇の他、赴任休暇、表彰休暇、リフレッシュ休暇、結婚休暇、忌引休暇、出産休暇、看護休暇、介護休暇、裁判員休暇、配偶者出産休暇、生理休暇があります。
・リフレッシュ休暇：勤続10年、20年、30年に取得
【有給休暇】 初年度1日 19日（入社月による）最大24日
※繰り越し含め最大48日
- キャリアパス・評価制度
- 【昇給】年1回 (4月)
