研究・開発（化学・素材・食品・衣料）
第三世代パワー半導体の急成長企業/SiC基板技術者/シリーズAで大型資金調達済/顧問可/～2000万
の転職・求人情報はすでに掲載終了しております。（掲載期間11月28日～12月11日）
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掲載時の募集要項（掲載期間：2024/11/28 ～ 2024/12/11）
研究・開発（化学・素材・食品・衣料）
第三世代パワー半導体の急成長企業/SiC基板技術者/シリーズAで大型資金調達済/顧問可/～2000万
外資系企業
海外出張
英語力不問
土日祝休み
募集要項
仕事内容
-
SiC等の第3世代半導体のR&D企業。設立5年で売上約60億円まで成長、今年大型の資金調達を完了しSiC専用の新工場も設立予定。SiC技術者としてロードマップ策定から技術指導並びに品質改善を担います。
＜ポジション＞
SiC基板技術者
＜職務内容＞
・SiC基板の結晶成長に関わる技術指導
・ワイドバンドGap半導体の技術ロードマップの策定
・チーム管理：シミュレーション、熱設計電力、機器のメンテナンス等
・結晶成長における品質管理、品質改善
応募資格
-
- 必須
-
＜必須条件＞
高温CVD法（HTCVD）によるSiC基板の結晶成長技術を5年以上有する方
- 募集年齢(年齢制限理由)
-
45～65歳 （特定年齢層の特定職種の労働者が相当程度少ないため）
雇用形態
-
正社員
勤務地
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東京都（在宅可）＋中国への出張
勤務時間
-
9：00～18：00
年収・給与
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800万円 ～ 2000万円＋手当
待遇・福利厚生
-
＜社会保険＞
健康保険、厚生年金、雇用保険、労災保険
休日休暇
-
＜休日＞
土・日・祝
会社概要
社名
-
非公開
事業内容・会社の特長
-
・SiCやGaNなどの第3世代半導体の研究開発と製造を行っている企業です。2018年の設立以後、売上50‐60億円まで成長、今年6月にシリーズAラウンドにおいて、約760億円超の資金調達を完了し、2025年には新工場（SiCデバイス）を立ち上げる予定です。
・自社製品は、IGBTやSiCのパワーデバイス(MOSFET、IPM)ですが、SiC基板を外部調達し、エピ結晶成長からパッケージングまでのデバイス生産を行っています。
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