募集要項
- 仕事内容
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【業務内容】
■ 担当技術分野
・ドライエッチング技術
■ 対象デバイス
・150mm～200mm（SiCパワーデバイス）
■ 担当業務
・SiCパワーデバイス向けドライエッチング技術開発（装置選定導入/エッチング条件構築）
・Siデバイス向けドライエッチング技術開発（装置選定導入エッチング条件構築等）
・生産技術開発（生産性改善・歩留まり向上/コストダウン及びBCM推進等）
※就業場所の変更の範囲、従事すべき業務の変更の範囲については、選考時に詳細をお伝えいたします。
- 応募資格
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- 必須
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【必須要件】
・ドライエッチングプロセス開発/改善業務の経験を有する方
・英語：ビジネスレベル
・日本語：ビジネスレベル
【歓迎要件】
・SiCパワーデバイスのドライエッチング（特にトレンチ形成）における使用設備の導入/評価やプロセス構築経験を有する方
・4年制大学または大学院にて工学、化学、または物理学等を修了しており、半導体工学の知識を有していること
- 雇用形態
- 正社員
- 勤務地
- 茨城県
- 年収・給与
- 800～800万円
