募集要項
- 仕事内容
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将来通信のキーデバイスであるGaN材料系高周波パワーアンプや、重要施設の監視・インフラ点検等に用いる高感度赤外線センサなど、化合物半導体を用いた光・電子デバイスの研究開発を行い、自社製品の高性能化と顧客訴求力向上に貢献する。
高周波パワーアンプについては、電波送信の容量や到達距離を飛躍的に高めるための、高性能かつ省電力なトランジスタとその集積回路を開発する。
赤外線センサについては、入射する赤外線を高い効率で電気信号に変換する受光素子と、電気信号を増幅して画像として出力する読出回路と、その集積化技術を開発する。
【個人に期待する役割やミッション】
本ポジションは、材料レベルから半導体デバイスの研究開発を行い、性能を飛躍的に向上させることがミッションとなります。キーとなる部分の研究を単独で行う側面と、複数名のチームでデバイス/回路の試作評価を行う側面があります。材料/デバイスに対する深い洞察力と共に、新原理/新構造を創出する発想力に期待します。
【仕事の魅力・やりがい】
自らが研究開発で創り出した革新的なデバイスをチーム一丸となって作製し、社会実装に繋げることができ、モノづくりの醍醐味を味わうことができます。また、材料・デバイス・回路・実装と幅広いレイヤを扱っており、全体を俯瞰した研究開発ができます。なお、本人の意向次第ではごく一部にフォーカスする深堀型の研究も可能ですし、全てのレイヤを一人でこなすべく様々なスキルを習得することも可能です。
- 応募資格
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- 必須
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【必須経験・スキル】 ▽以下1項目以上の経験必須
■半導体デバイス開発
■結晶成長
■回路設計
【歓迎経験・スキル】 ▽以下の経験があること
■半導体プロセス開発 ■高周波デバイス開発
■光学センサ開発 ■CAD
■デバイスや電磁界などのシミュレーション
■電気的・光学的な評価 ■高周波特性評価
■国際会議での発表経験
【語学力】
■日常会話レベル
- 雇用形態
- 正社員
- 勤務地
- 神奈川県
- 年収・給与
- 620～1200万円
