設計・開発エンジニア(半導体)
SiCデバイス・プロセス開発リーダー [52355]
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の転職・求人情報はすでに掲載終了しております。(掲載期間9月13日~9月26日)

※ 掲載時の募集要項はページ下部よりご確認いただけます。
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掲載時の募集要項掲載期間:2024/09/13 ~ 2024/09/26)
設計・開発エンジニア(半導体)

SiCデバイス・プロセス開発リーダー [52355]

ルネサス エレクトロニクス株式会社
上場企業 マネジメント業務なし 英語力が必要 転勤なし 土日祝休み

募集要項

募集背景
非公開情報も含むため、詳しくは求人紹介時に担当コンサルタントよりご案内いたします。
仕事内容
ルネサス エレクトロニクス株式会社での募集です。
プロセスエンジニア(半導体)のご経験のある方は歓迎です。
【職務内容】
SiCパワーデバイス・プロセス開発、プロジェクトマネジメント

・構想検討から量産技術確立までのウェハプロセス開発プロジェクトマネジメント
・関連企業との協業および交渉
・デバイス構造設計やプロセスフロー構築に関する指揮・指導
・要素プロセス技術(ウエハプロセス、裏面プロセス)、製品設計、品質保証など 多部門との連携、交渉

【魅力】
ルネサスは「人々の暮らしを楽(ラク)にする」技術で持続可能な将来を築いていく日本を代表する半導体企業です。自動運転やIoTなど多様な分野において、先進的な製品やソリューションを提供しています。当社の製品は、世界中の主要な電子機器メーカーに採用され、日々の暮らしに欠かせない身の回りのあらゆる電子機器に使用されています。
当社では世界25カ国の製造・開発・販売拠点において20 000人以上の従業員が働いています。グローバルチームとして、すべての従業員が、行動指針である「Renesas Culture」をもとに、互いに学習、協力、成長、目標に向けて前進しながら、日々さまざまな課題解決に取り組んでいます。
当社を取り巻く環境は近年の活発な大型M Aを含めて、他に類を見ないほどダイナミックに動いています。今後もインフラやデータエコノミー関連の急成長市場でのシェア拡大や、産業/IoTや自動車分野でのプレゼンス強化を図ります。変化の激しい中、グローバルチームの一員として、私たちと一緒に持続可能な将来を築いていただける方をお待ちしています。
応募資格
必須
(1)Must要件
・パワーデバイス開発のプロジェクトマネジメント経験 2年以上
・150nm、200mmウエハプロセス開発経験 3年以上
・英語でのプレゼンテーションスキル

(2)Want要件
・SiCデバイス構造設計やプロセス開発経験 3年以上

(3)Better要件
・海外との共同プロジェクト経験
・パワーエレクトロニクス全般の基礎知識
フィットする人物像
JAC Recruitmentでは、担当コンサルタントが直接企業へ訪問。だからお伝えできることがあります。
面談の際に、採用担当者からお聞きした情報やコンサルタント自身が感じた選考のポイントを皆さまへお届けします。
雇用形態
無期雇用
ポジション・役割
課長~部長級相当職
勤務地
群馬県
勤務時間
【就業時間】08:30 ~ 17:15
【労働時間制等】通常の労働時間制
年収・給与
【年収】600万円 - 1300万円
待遇・福利厚生
【通勤手当】全額支給
【社会保険】健康保険
厚生年金
雇用保険
労災保険
休日休暇
【有給休暇】初年度 23日 1か月目から
【休日】完全週休二日制


祝日
夏季休暇
年末年始
【有給休暇】入社月に付与(但し、入社月により付与日数に変動あり)、詳細はオファー時に確認。
キャリアパス・評価制度
【昇給】年1回 (4月)

会社概要

社名
ルネサス エレクトロニクス株式会社
事業内容・会社の特長
各種半導体に関する研究、開発、設計、製造、販売およびサービス
設立
37561
資本金
147133(百万)円
従業員数
21017名
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