募集要項
- 仕事内容
-
高効率なエコデバイスの実現のため、台湾ヘッドクォーターのエンジニアとも連携体制を緊密に取り、高性能・高信頼性パワーデバイスのいち早い市場投入に向けたパワー半導体デバイスの設計・シミュレーション開発をお任せします。
SiCパワー半導体デバイスの量産化が現在の主な取り組みテーマであり、新技術や新製品の早期の市場投入に向けた設計開発体制を強化するための採用です。
- 応募資格
-
- 必須
-
パワー半導体デバイス（Si, SiC, GaN,）の設計、開発、製造に関して以下の1から4いずれか経験がある方
※経験者のみ募集
1.パワー半導体デバイス（SBD,DMOS,トレンチMOS,IGBT等）のチップ設計・開発の経験
2.ファウウンドリーでのデバイス試作経験
3.デバイスシミュレーター（Synopsis Sentaurusなど）の使用経験
4.パワー半導体デバイスのパッケージ、モジュールの設計、開発の経験
- 歓迎
- 英語または中国語でのコミュニケーションが取れる方
- 雇用形態
- 正社員採用
- 勤務地
- 京都府京都市西京区
- 勤務時間
- 9：00-18：00
- 年収・給与
- 500万円 ～ 999万円
- 待遇・福利厚生
- 社会保険：健康保険、 厚生年金、 雇用保険、 労災保険 完備
- 休日休暇
-
休日：年間120日
(内訳)
完全週休二日制、土曜 日曜 祝日
