設計・開発エンジニア(その他、電気・電子・半導体)
結晶成長エンジニア
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結晶成長エンジニア
の転職・求人情報はすでに掲載終了しております。(掲載期間3月3日~3月16日)

※ 掲載時の募集要項はページ下部よりご確認いただけます。
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掲載時の募集要項掲載期間:2022/03/03 ~ 2022/03/16)
設計・開発エンジニア(その他、電気・電子・半導体)

結晶成長エンジニア

転勤なし 土日祝休み

募集要項

募集背景
業績好調により増員
仕事内容
研究開発部門又は生産技術部門にて下記のような業務をご経験に応じてお任せします。
 
【業務内容】
・ワイドバンドギャップを有する酸化ガリウムエピ膜の開発(問題点の特定・条件の改善提案等)
・エピ膜を用いたパワーデバイスの試作評価およびデバイスの改善
・酸化ガリウム半導体デバイスの研究開発・試作
・測定データの解析、特性評価、不具合解析
・量産移管、装置開発など
 ※ご経験に応じてお任せします。
応募資格
必須
【必須条件】
・化学、物理、応用物理、電気・電子を専攻または同等の知見をお持ちの方

【歓迎条件】
・新規材料の初期段階の研究開発や量産移管経験
・結晶成長および結晶欠陥の評価経験
・パワーデバイスや酸化物半導体の設計・試作経験
・ワイドバンドギャップ半導体のデバイス化経験
・成膜装置等の装置開発の経験

FLOSFIAでは、全従業員が社会への高い価値を創出することを目的として、全従業員が「現場」から
逃げずプロとして真正面から向き合うことを目指しています。
FLOSFIAの「現場」とは、全ての職種の方が「最前線で戦う舞台」と定義し、それぞれの役割を尊重
します。特に次のような方々にとって適した職場です。

・創意工夫しながら高い目標にチャレンジし続けることが好きな方
・成果を出すために「期間の感覚」を大事にし、上手く周りを巻き込みながら実行できる方
・仮説検証や先読みが好きで、自分の持っている知識をどう発揮するか工夫することが出来る方

成果を出すためのチャレンジを楽しみたい方、その取り組みを通じて成長したい方は、是非、FLOSFIAにご参画ください。
雇用形態
正社員
勤務地
京都府京都市
勤務時間
9:00~18:00
年収・給与
400万円 ~ 700万円
待遇・福利厚生
各種社会保険完備
休日休暇
土日祝日
年間休日120日

会社概要

社名
非公開
事業内容・会社の特長
ミストドライ成膜技術を基礎技術として、『パワーデバイス事業』と『成膜ソリューション事業』を展開しています。
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Q.
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A.
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