募集要項
- 募集背景
- 現在中国では「中国2025」というプロジェクトを国として掲げており、半導体自給率を2025年までに70%以上を目指している状況です。その国策において助成金の対象企業となり、国内の半導体自給率の飛躍を担っている企業のご紹介です。生産拠点の立ち上げなどが出来れば国内市場に競合は殆どおらず、しっかり利益を確保出来る状況の為、優秀な技術者の採用が急務となっております。
- 仕事内容
-
SiC MOSFET R&D技術者1.SiC MOSFETゲート酸化膜プロセスの開発
2.SiC MOSFET閾値電圧の安定に関する研究。故障モデルとメカニズムの研究や対策を含む
3.SiC MOSFETの短絡耐量の工場に関する研究
- 応募資格
-
- 必須
- 1.マイクロエレクトロニクスまたは半導体技術を専攻し、SiC MOSFETの設計とプロセス開発の経験を有する
- 雇用形態
- 正社員
- 勤務地
- 東京都 / 中国
- 年収・給与
- 800万円 ~ 1199万円
- 選考プロセス
-
1次面接:技術面接
最終面接:本国の社長との面接
※どちらも通訳が入ります