設計・開発エンジニア(半導体)/350万円の転職・求人情報一覧(15)

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701718件を表示中
掲載期間:24/08/26~24/10/20
設計・開発エンジニア(半導体)

パワーデバイスの設計開発エンジニア

上場企業海外出張英語力不問転勤なし土日祝休み
仕事内容
中国系半導体メーカー日本法人 パワーモジュールの開発設計
応募資格
必須
自動車、電機関係のインバーター、パワーモジュール、業務に関係したことがある方
歓迎
向上心ある方の
勤務地
東京都
年収 / 給与
600万円~1349万円
会社概要
パワーデバイス等半導体部品メーカー
掲載期間:24/08/26~24/10/20
設計・開発エンジニア(半導体)

半導体ソリューション部門長

上場企業大手企業管理職・マネジャー海外出張海外折衝英語力が必要土日祝休み
仕事内容
車載用半導体品質・調達・戦略 総合的管理責任者
応募資格
必須
上記経験者 車載用ECUの知識要
勤務地
神奈川県
年収 / 給与
1900万円~1949万円
会社概要
国内系大手機械電気部品メーカー
掲載期間:24/08/20~24/10/14
仕事内容
パワー半導体デバイスを使った汎用・車載用パワーモジュールの設計開発を海外のエンジニアと連携して推進していただきます。 エネ…
応募資格
必須
パワー半導体デバイス(Si, SiC, GaN,)の設計、開発、製造に関して以下…
歓迎
英語または中国語でのコミュニケーションが取れる方
勤務地
京都府
年収 / 給与
500万円~999万円
会社概要
■当社は業界最先端のSi、SiC、GaN などのパワーデバイス開発を行うファブレ…
掲載期間:24/08/20~24/10/14
仕事内容
【業務内容】 高効率なエコデバイスの実現のため、台湾ヘッドクォーターのエンジニアとも連携体制を緊密に取り、高性能・高信頼性…
応募資格
必須
パワー半導体デバイス(Si, SiC, GaN,)の設計、開発、製造に関して以下…
歓迎
英語または中国語でのコミュニケーションが取れる方
勤務地
京都府
年収 / 給与
500万円~999万円
会社概要
■当社は業界最先端のSi、SiC、GaN などのパワーデバイス開発を行うファブレ…
掲載期間:24/08/20~24/10/14
仕事内容
高効率なエコデバイスの実現のため、台湾ヘッドクォーターのエンジニアとも連携体制を緊密に取り、高性能・高信頼性パワーデバイ…
応募資格
必須
パワー半導体デバイス(Si, SiC, GaN,)の設計、開発、製造に関して以下…
歓迎
英語または中国語でのコミュニケーションが取れる方
勤務地
京都府
年収 / 給与
500万円~999万円
会社概要
■当社は業界最先端のSi、SiC、GaN などのパワーデバイス開発を行うファブレ…
掲載期間:24/08/15~24/10/09
仕事内容
(求人概要) ・インテグレーションエンジニアは、メモリデバイスを構成する  プロセスモジュールの内、特定のモジュールの担当と…
応募資格
必須
・半導体や他の電子デバイス、電子機器、化学材料等の業界での開発や生産技術職等のご…
勤務地
三重県
年収 / 給与
500万円~1249万円
会社概要
欧米 外資系半導体設計開発メーカー
掲載期間:24/08/15~24/10/09
仕事内容
(求人概要) ・プロダクトエンジニアは、当社の半導体メモリ製品担当として、その  製品の製造プロセスフローを管理し、製品の立…
応募資格
必須
・半導体や他の電子デバイス、電子機器等の開発や製造のご経験のある方。
勤務地
三重県
年収 / 給与
500万円~1249万円
会社概要
欧米 外資系半導体設計開発メーカー
掲載期間:24/08/15~24/10/09
仕事内容
(職務概要) ・最先端メモリデバイス開発における微細加工や成膜工程のプロセス、  装置改善業務、要素開発業務を担当頂きます。…
応募資格
必須
・半導体や他の電子デバイス、電子機器、化学材料等の分野にての開発や製造のご経験の…
勤務地
三重県
年収 / 給与
500万円~1249万円
会社概要
欧米 外資系半導体設計開発メーカー
掲載期間:24/08/13~24/09/27
仕事内容
埼玉県内で半導体装置・生産ラインのPLC制御設計をお任せします。
半導体装置、生産ラインのPLC制御設計
応募資格
必須
■必要経験 半導体製造装置、自動車生産ラインなどのPLC制御設計経験(PLCメーカ…
歓迎
■歓迎経験 装置以外でのPLC経験
勤務地
埼玉県
年収 / 給与
400万円~599万円
会社概要
■事業内容 FA(ファクトリーオートメーション)機器・設備およびシステムの開発・設…
掲載期間:24/08/13~24/09/27
仕事内容
■仕事内容 半導体製造装置、自動車生産ラインなどの機械設計、CAD設計、搬送系設計 工期:2024/2/1~ ■求人アピール 大…
応募資格
必須
■応募資格 必要経験:半導体製造装置、自動車生産ラインなどの機械設計経験、CAD(…
勤務地
大分県
年収 / 給与
400万円~599万円
会社概要
機械設計
掲載期間:24/08/09~24/10/03
仕事内容
(仕事概要) ※下記業務いずれか又は複数をご専門に応じご担当頂く予定です。 ● NAND型フラッシュメモリLSIの回路設計…
応募資格
必須
・アナログ、デジタルを問わずLSI設計の経験 ・電気電子工学あるいはコンピュータサ…
歓迎
・不揮発性メモリ分野での経験 ・CMOS回路設計、高速インターフェース設計、RTL…
勤務地
神奈川県
年収 / 給与
700万円~1349万円
会社概要
欧米 外資系半導体設計開発メーカー
掲載期間:24/08/08~24/10/02
仕事内容
(仕事概要) ● NAND型フラッシュメモリのレイアウト設計業務 - アナログ回路およびデジタル回路のマニュアルによるレイア…
応募資格
必須
【必須(MUST)】 ・マニュアルによるLSIレイアウト設計またはTEGレイアウト…
歓迎
【歓迎(WANT)】 ・回路設計の知識 ・半導体プロセス、デバイスの知識 ・Scrip…
勤務地
神奈川県
年収 / 給与
700万円~1349万円
会社概要
欧米 外資系半導体設計開発メーカー
掲載期間:24/08/05~24/09/27
仕事内容
■仕事内容 半導体のデジタル回路設計・検証業務、論理設計・検証(LSI、FPGA、SOC) ■求人アピール 神奈川県内で半導体…
応募資格
必須
■応募資格 必要経験:半導体(FPGA,LSI、SOC)デジタル回路の設計経験。V…
勤務地
神奈川県
年収 / 給与
400万円~599万円
会社概要
産業機器
掲載期間:24/08/05~24/09/29
設計・開発エンジニア(半導体)

半導体テスト・評価エンジニア、マネジャー

海外展開あり(日系グローバル企業)上場企業大手企業管理職・マネジャー海外出張土日祝休み
仕事内容
・SoC製品のテスト仕様策定、テスト立上げの推進、およびこれらを適切なコスト・TATで実現するための  技術開発、およびこれに付随する業務の推進
●メイン業務 ・SoC製品のテスト仕様策定、テスト戦略の検討 ・テスト仕様に基づくテストプログラム開発 ・LSIテスターを用い…
応募資格
必須
●必須の要件 ・SoC製品のテスト開発業務経験者  (テスト仕様策定 テスト環境構築…
勤務地
神奈川県 / 愛知県 / 京都府
年収 / 給与
750万円~1649万円
会社概要
半導体製品(SoC、システムLSI)及び関連製品の開発・設計・製造委託・販売 当社…
掲載期間:22/11/30~24/10/07
設計・開発エンジニア(半導体)

車載用パワーモジュールの設計開発(パワー半導体)/半導体デバイス設計会社

外資系企業ベンチャー企業マネジメント業務なし英語力が必要中国語力が必要転勤なし土日祝休み
仕事内容
業界最先端のSi、SiC、GaNなどパワーデバイス開発を行うファブレス設計会社として2019年に設立 電気エネルギーの変換効率を飛躍的に向上させるパワー半導体の研究開発をグローバルで進める注目ベンチャー
【業務内容】 パワー半導体デバイスを使った汎用・車載用パワーモジュールの設計開発を海外のエンジニアと連携して推進していただ…
応募資格
必須
【必須】 パワー半導体デバイス(Si, SiC, GaN,)の設計、開発、製造に関…
勤務地
京都府
年収 / 給与
600万円~1049万円
会社概要
半導体デバイス設計
掲載期間:22/11/30~24/10/07
設計・開発エンジニア(半導体)

パワー半導体デバイスの設計開発/半導体デバイス設計会社

外資系企業ベンチャー企業マネジメント業務なし英語力が必要中国語力が必要転勤なし土日祝休み
仕事内容
業界最先端のSi、SiC、GaNなどパワーデバイス開発を行うファブレス設計会社として2019年に設立 電気エネルギーの変換効率を飛躍的に向上させるパワー半導体の研究開発をグローバルで進める注目ベンチャー
【業務内容】 高効率なエコデバイスの実現のため、台湾ヘッドクォーターのエンジニアとも連携体制を緊密に取り、高性能・高信頼性…
応募資格
必須
【必須】 パワー半導体デバイス(Si, SiC, GaN,)の設計、開発、製造に関…
勤務地
京都府
年収 / 給与
600万円~1049万円
会社概要
半導体デバイス設計
掲載期間:22/11/30~24/10/07
設計・開発エンジニア(半導体)

パワー半導体デバイスの試作エンジニア/半導体デバイス設計会社

外資系企業ベンチャー企業マネジメント業務なし英語力が必要中国語力が必要転勤なし土日祝休み
仕事内容
業界最先端のSi、SiC、GaNなどパワーデバイス開発を行うファブレス設計会社として2019年に設立 電気エネルギーの変換効率を飛躍的に向上させるパワー半導体の研究開発をグローバルで進める注目ベンチャー
【業務内容】 高効率なエコデバイスの実現のため、台湾ヘッドクォーターのエンジニアとも連携体制を緊密に取り、高性能・高信頼性…
応募資格
必須
【必須】 パワー半導体デバイス(Si, SiC, GaN,)の設計、開発、製造に関…
勤務地
京都府
年収 / 給与
600万円~1049万円
会社概要
半導体デバイス設計
掲載期間:22/11/30~24/10/07
設計・開発エンジニア(半導体)

パワー半導体デバイスの信頼性評価・歩留まり改善/半導体デバイス設計会社

外資系企業ベンチャー企業マネジメント業務なし英語力が必要中国語力が必要転勤なし土日祝休み
仕事内容
業界最先端のSi、SiC、GaNなどパワーデバイス開発を行うファブレス設計会社として2019年に設立 電気エネルギーの変換効率を飛躍的に向上させるパワー半導体の研究開発をグローバルで進める注目ベンチャー
【業務内容】 高効率なエコデバイスの実現のため、台湾ヘッドクォーターのエンジニアとも連携体制を緊密に取り、高性能・高信頼性…
応募資格
必須
【必須】 パワー半導体デバイス(Si, SiC, GaN,)の設計、開発、製造に関…
勤務地
京都府
年収 / 給与
600万円~1049万円
会社概要
半導体デバイス設計
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Q.
掲載されている転職情報の企業名が非公開となっている場合が多いように思います。社名はどの段階で公開されるのでしょうか?
A.
人材紹介会社が保有している転職情報の中には、一般公募をしていない転職情報や企業から非公開で依頼を受ける転職情報もあるため、社名を非公開にして掲載する転職情報が多数あります。

ご興味のある転職情報がございましたら、まずはエントリーをいただき、その後、担当のコンサルタントと面談を行い、会社名や転職情報の詳細をご確認いただいて、実際に求人企業に応募するかを判断していただければと思います。